7/26/2019 Relatrio 5 Experincia Polarizao de Transistores

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FUNDAO EDSON QUEIROZUNIVERSIDADE DE FORTALEZAUNIFOR

CENTRO DE CINCIAS TECNOGICASCCTCURSO ENGENHARIA DE CONTR. E AUTOMAO.

Relatrio 5 Experincia: Polarizao de Transistores

Disciplina: Eletrnica Bsica

Professor: Gabriel Ribeiro

JOS UEBER DE CASTRO VALRIO

FortalezaCear2016

7/26/2019 Relatrio 5 Experincia Polarizao de Transistores

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Relatrio

1. Objetivo:

Analisar algumas configuraes para polarizao de transistores e avaliarvantagens e desvantagens de cada uma.

2. Materiais e Mtodos:

* Osciloscpio no Acoplamento CA* Protoboard* Fonte DC de 0 a 30 volts* Multmetro* Resistores: 1 de 1k; 1 de 1,5k; 1 de 3,3k;1 de 8,2k; 1 de 10k* Transistores: 1 BC337 e 1 BC548 (transistores NPN)* Diodo emissor de luz (LED): 1 da cor verde

3. Procedimentos

Parte I - Polarizao da base

Imagem 1 -Circuito 1 Polarizao da base e posicionamento na regio de saturao;

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Parte II - Polarizao por divisor de tenso

Imagem 2 -Circuito 2 Transistor posicionado na regio ativa por divisor de tenso;

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Parte III - Polarizao do emissor

Imagem 3 -Circuito 3 Polarizao do emissor;

4. Resultados:

Parte I: Polarizao da base

O circuito foi montado conforme instrues e foi verificado como o transistor

passa do regime de saturao para o regime de corte, e assim sendo usado nochaveamento de fontes de tenso por exemplo.

VCE VCB VBE IB IC IE

0,001 00,70V 0,71V 1,45mA 12, 93mA 14,5mA

Quadro 1:Valores Obtidos Com Multmetro

Nesse tipo de configurao o VCE vai ser aproximadamente 0 pois o transistor

entraem saturao, ao se tirar a corrente de Base (Ib 0), a corrente docoletor tambm tendera a 0, segundo a relao do cc*Ib = Ic.

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Parte II: Polarizao por divisor de tenso

No circuito da figura 2 foi verificado o comportamento dos transistores naregio ativa por divisor de tenso.

Medio BC 337 BC548

VCE 7,50 V 7,72 V

VCB 6,91 V 7,07 V

VBE 0,59 V 0,63 V

IE 1,75 mA 1,72 mA

Quadro 2:Valores Obtidos Com Multmetro

LTK: BC337VCE = 6,91 + 0,59 = 7,5 V

LTK: BC548VCE = 7,07 + 0,63 = 7,7 V

Como os transistores esto na regio ativa a corrente do coletor equivalentea corrente do emissor, obedecendo a relao cc=IC/IE.

Parte III: polarizao do emissor

No circuito da figura 3 os transistores foram polarizados com duas fonte detenso e foram colocados na regio ativa .

Medio BC 337 BC548

VCE 9,85 V 9,91 V

VCB 9,26 V 9,27 V

VBE 0,59 V 0,63 V

IE 1,76mA 1,75 mA

Quadro 3:Valores Obtidos Com Multmetro

LTK: BC337VCE = 9,85 + 0,59 = 9,85 V

LTK: BC548VCE = 9,27 + 0,63 = 9,9 V

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5. Concluso

Utilizando os valores obtidos atravs das medies como o multmetro foiverificado as trs formas de polarizao do transistor.Na Polarizao de Base o transistor posicionado na regio de saturao e

suas principais caractersticas so: Vce aproximadamente 0 v; Ib relativamente alto; muito baixo necessrio o uso de corrente de base ib alta para manter ic

aprecivel; Possibilidade de estabelecer maior nvel de corrente de saturao no

coletoremissor; O varivel provoca altaestabilidade trmica.

Na polarizao do por divisor de tenso o transistor posiciona se na regio

ativa sendo utilizado principalmente como fonte de corrente.A Polarizao do emissor posiciona o transistor na sua regio ativa e seu Ib desprezvel em relao as correntes do coletor e do emissor pois o elevado, sendo assim muito usado como amplificador.Conclumos assim que os valores tericos se aproximam muito dos valoresprticos confirmando a teoria vista em sala de aula, o que foi comprovadaatravs dos clculos de LKT, o resultado obtido foi muito satisfatrio o erro emrelao o aos valores medidos foram baixos chegando a ser desprezveis.