POLARIZAO DO FET 1.INTRODUO Paraotransistordeefeitodecampo,arelaoentreosparmetrosdeentradaesadano-linear devido ao termo quadrtico na equao de Shockley. A relao no-linear entre ID e VGS podecomplicaroraciocniomatemticonecessrioanliseccdeconfiguraescomFET. Ummtodogrficopodelimitarbastanteapreciso,masomtodomaisrpidoparaa maioria dos amplificadores a FET. As relaes gerais que podem ser aplicadas anlise cc dos amplificadores a FET so: A IG0 (1) e ID = IS(2) ParaoJFETeoMOSFETtipodepleo,aequaodeShockleyrelacionaasvariveisde entrada e sada: 21|||

\| =PGSDSS DVVI I (3) Para os MOSFET tipo intensificao, a seguinte equao aplicvel: ID = k(VGS VT)2 (4) 2.CONFIGURAO COM POLARIZAO FIXA OmaissimplesdosarranjosdepolarizaoparaoJFETdecanalnmostradonaFigura1. Esse arranjo chamado de configurao com polarizao fixa. AconfiguraodaFigura1incluiosvalorescaVieV0 maisoscapacitoresdeacoplamento (C1 e C2). Lembramos que os capacitores de acoplamento so circuitos abertos para a anlise ccebaixasimpedncias(consideradascurtos-circuitos)paraaanliseca.OresistorRGest presenteparaassegurarqueViapareanaentradadoamplificadorFETnaanliseca.Paraa anlise cc: A IG0 e VRG = IGRG = (0 A)RG = 0 V Figura 1. Configurao com polarizao fixa. AquedadezerovoltatravsdeRGpermiteasubstituiodeRG porumcurto-circuito equivalente, que mostrado na Figura 2. O fato de o terminal negativo da bateria estar conectado diretamente ao potencial positivo de VGS revelaqueapolaridadedeVGS opostadeVGG. AaplicaodaleideKirchhoffpara tenses na malha indicada na Figura 2 no sentido horrio resultar em: -VGG VGS = 0 e VGS = - VGG (5) ComoVGG umafonteccconstante,atensoVGS fixa,daanotaoconfiguraocom polarizao fixa. Figura 2. Circuito para a anlise cc. O valor resultante de corrente de dreno ID agora controlado pela equao de Shockley: 21|||

\| =PGSDSS DVVI IPara uma anlise grfica, lembramos que a escolha de VGS = VP/2 resulta em uma corrente de dreno de IDSS/4 quando o grfico da equao traado. Figura 3. Grfico da equao de Shockley. Nafigura4aretaverticalrepresentaVGS=-VGG;logo,ovalordeIDdeveserdeterminado sobreessareta.Opontodeinterseodasduascurvasasoluoparaaconfiguraoe geralmente chamado de ponto de operao, ou ponto quiescente (ponto Q). importante observar que, uma vez montado o circuito da Figura 1, os valores cc de ID e VGS, quepodemsermedidoscomomostraaFigura5,soosvaloresquiescentesdefinidospela Figura 4. Figura 4. Soluo para a configurao com polarizao fixa. A tenso dreno-fonte do circuito de sada pode ser determinada aplicando-se a lei de Kirchhoff para tenses: + VDS + IDRD VDD = 0 eVDS = VDD IDRD (6) Figura 5. Medindo os valores quiescentes de ID e VGS. Lembre-sedequeosndicesdeumanicaletraindicamumatensomedidaemrelao GND. Para a configurao da Figura 2: VS = 0 v (7) Utilizando um ndice duplo: VDS = VD - VS ou VD = VDS + VS = VDS =0 V e VD = VDS (8) Alm disso:VGS = VG - VS ou VG = VGS + VS = VGS = 0 V e VG = VGS (9) EXEMPLO 1 Determine os seguintes parmetros para o circuito da Figura 6. a)VGSQ b)IDQ c)VDS d)VD e)VG f)VS Figura 6. Exemplo 1. Soluo Mtodo matemtico: a)VGSQ = - VGG = - 2 b) 22821 10 1 ||

\| =|||

\| =VVmAVVI IPGSDSS DQ = 10 mA(1 0,25)2 = 10 mA(0,75)2 = 10 mA(0,5625) = 5,625 mA c)VDS = VDD IDRD = 16 V 5,625 mA)(2 k) = 16 V 11,25 V = 4,75 V d)VD = VDS = 4,75 V e)VG = VGS = - 2 V f)VS = 0 V Mtodo Grfico A curva resultante da equao de Shockley e a reta vertical em VGS = - 2 V so fornecidas na Figura7.Noconseguimosobterumaprecisoalmdasegundacasadecimalsemaumentar significativamente o tamanho da figura, mas uma soluo de 5,6 mA do grfico da Figura 7 um valor bastante aceitvel. Portanto, para: a)VGSQ = - VGG = -2V b)IDQ = 5,6 mA c)VDS = VDD IDRD = 16 V (5,6 mA)(2k) = 16 V 11,2 V = 4,8 V d)VD = VDS = 4,8 V e)VG = VGS = - 2 V f)VS = 0 V Osresultadosconfirmamclaramentequeosmtodosgrficoematemticogeralresultados bem prximos. Figura 7. Soluo grfica para o circuito da Figura 6. 3.CONFIGURAO COM AUTOPOLARIZAO Aconfiguraocomautopolarizaoeliminaanecessidadededuasfontescc.Atensode controleporta-fonteagoradeterminadapelatensoatravsdoresistorRScolocadano terminal da fonte da configurao, como mostrado na Figura 8. Figura 8. Configurao de JFET com auto polarizao. J que IG = 0 A, o resultado o circuito da Figura 9 para a importante anlise cc. Figura 9. Anlise cc da configurao com autopolarizao. A corrente atravs de RS a corrente de fonte IS, mas IS = ID e VRS = IDRS Para a malha indicada na Figura 9, temos: -VGS VRS = 0 e VGS = - VRS ouVGS = - IDRS(10) Observe, nesse caso, que VGS funo corrente de sada ID, e no mais de amplitude constante. A equao (10) definida pela configurao do circuito e a equao de Shockley relaciona os parmetros de entrada e sada do dispositivo. A soluo matemtica pode ser obtida simplesmente por meio da substituio da Equao (10) de Shockley: 21|||

\| =PGSDSS DVVI I

21|||

\| =PS DDSSVR IIou 21|||

\|+ =PS DDSS DVR II IDesenvolvendo-seaequaoanteriorereorganizando-seostermos,pode-seobteruma equao com o seguinte formato: 03 221= + + K I K I KD D Aquiapresentadosoluoalgbricaparaopontodepolarizaodecircuitodeauto polarizao do FET. AAC B BID242 =Onde 2sR A =(((

+ =DSSps pIVR V B2| | 22pV C =) ( | | | |s D D DD DSR R I V V + = , VDS positivo para FET canal N e negativo para um FET canal P S D GSR I V = | | , VGS negativo para FET canal N e positivo para FET canal P J o mtodo grfico requer que o primeiro se levante a curva de transferncia do dispositivo, comoaqueaparecenaFigura10.ComoaEquao(10)defineumalinharetanomesmo grfico, identificamos dois pontos nele que estejam na linha e simplesmente traamos uma reta entre eles. A condio mais bvia a ser aplicada ID = 0 A, j que ela resulta em VGS = IDRS = (0 A)RS = 0 V. Para a Equao (10), portanto um ponto da reta definido por ID = 0 A e VGS = 0 V, como mostrado na Figura 10. Figura 10. Definio de um ponto na reta de autopolarizao. O segundo ponto para a Equao (10) requer que seja selecionado um valor de VGS ou ID e que ocorrespondentevalordaoutraquantidadesejadeterminadopelaEquao(10).Osnveis resultantes de ID e VGS definiro outro ponto da reta e permitiro o seu traado. Suponhamos, por exemplo, que ID seja igual metade do nvel de saturao. Ou seja: 2DSSDII =ento 2S DSSS D GSR IR I V = =O resultado o segundo ponto na reta traada da Figura 11. A linha reta definida pela Equao (10) traada e o ponto quiescente obtido na interseo da reta com a curva caracterstica do dispositivo. O valor de VDS pode ser determinado aplicando-se a lei de Kirchhoff para tenses ao circuito de sada com o seguinte resultado: VRS + VDS + VRD VDD = 0 e VDS = VDD VRS VRD = VDD ISRS - IDRD mas como ID = IS temos: VDS = VDD ID(RS + RD) (11) Alm disso: VS = IDRS (12) VG = 0 V (13) e VD = VDS + VS = VDD VRD (14) Figura 11. Esboo da reta de autopolarizao. 4.POLARIZAO POR DIVISOR DE TENSO ApolarizaopordivisordetensoaplicadatambmaosamplificadorescomFET,como demonstrado pela Figura 21. A anlise cc bastante diferente, IG = 0A para os amplificadores que utilizam TBJN, o valor de IB pode afetar osvalores decorrente e tenso nos circuitos de entrada e sada. Lembramos que IG o elo entre os circuitos de entrada e sada na configurao comdivisordetensoparaoBJeVGScumpreessemesmopapelparaaconfiguraocom FET. O circuito da Figura 21 redesenhado para a anlise cc, como mostrado na Fiugra 22. a fonte VDDfoiseparadaemduasfontesequivalentesparapermitiradistinoentrearegiode entrada e de sada do circuito. Uma vez que IG = 0 A, a lei de Kirchhoff para correntes permite afirmar que IR1 = IR2, e o circuito em srie equivalente que aparece esquerda da figura podem ser utilizados para determinar o valor de VG. A tenso VG igual tenso atravs de R2 pode ser determinada utilizando-se a regra do divisor de tenso, conforme mostrado a seguir: Figura 21. Configurao da polarizao por divisor de tenso. Figura 22. Circuito redesenhado da Figura 21 para anlise cc. Aplicando-sealeideKirchhoffparatensesnosentidohorrionamalhaindicadanaFigura 22, obtm-se: VG VGS VRS = 0 e VGS = VG - VRS Substituindo-se VRS = ISRS = IDRS, temos: VGS = VG IDRS (16) O resultado uma equao que inclui as mesmas duas variveis da equao de Shockley: VGS e ID. As quantidades VG e RS so fixas pela configurao do circuito. A equao (16) ainda a equaodeumareta,masaorigemnoestmaiscontidanela.Comosonecessriosdois pontosparasedefinirumareta,utilizaremosofatodequeemqualquerpontonoeixo horizontal da Figura 23, a corrente ID = 0 mA. Se selecionarmos ento ID = 0 mA, estaremos, emessncia,emalgumpontodoeixohorizontal.Aposioexatapodeserdeterminada simplesmentesubstituindoID=0mAnaEquao(16)eencontrandoovalorresultante IGS,como a seguir: VGS = VG - IDRS = VG (0 mA)RS

e VGS = VG |ID = 0mA(17) Figura 23. Esboo da equao do circuito para a configurao com divisor de tenso. Para o outro ponto, vamos considerar o fato de que, em qualquer ponto do eixo vertical, VGS = 0 V e solucionar para o valor resultante de ID: VGS = VG - IDRS 0 V = VG -IDRS e V VGSSGDRVI0|== (18) O resultado demonstra que, sempre que traarmos o grfico da Equao (16) com VGS = 0 V, o valor de ID ser determinado pela Equao (18). Essa interseo tambm aparece na Figura 23. Os dois pontos definidos anteriormente permitem o traado de uma linha reta para representar a Equao (16). A interseo da linha reta com a curva de transferncia na regio esquerda do eixo vertical define o ponto de operao e os valores correspondentes de ID e VGS. ComoainterseonoeixoverticaldeterminadaporID=VG/RS,eVGfixodevidoao circuitodeentrada,valorescrescentesdeRSreduzemovalordeIDnainterseo,como mostrado na Figura 24. Essa figura deixa claro que: Valores crescente de RS resultam em valores decrescentes de ID e valores mais negativos de VGS. Uma vez que sejam determinados os valores de ID0 e VGS0, a anlise restante poder ser feita da maneira comum. Ou seja: VDS = VDD ID(RD + RS) (19) VD = VDD IDRD (20) VS = IDRS (21) 2 12 1R RVI IDDR R+= = (22) Figura 24. Efeito de RS no ponto Q resultante. Soluo Algbrica Aseguirserapresentadaasoluoalgbricageralparaopontodepolarizaodecircuitos usando um FET com polarizao por divisor de tenso AAC B BID242 =Onde 2sR A =(((

+ + =DSSps G pIVR V V B2| | | | 2( )2| | | |G PV V C + =| | | |2 12DD GVR RRV+=) ( | | | |s D D DD DSR R I V V + = , VDS positivo para FET canal N e negativo para um FET canal P S D G GSR I V V = | | | | , VGS negativo para FET canal N e positivo para FET canal P EXEMPLO 5. Determine os seguintes parmetros para o circuito da Figura 25. a)IDQ e VGSQ b)VD c)VS d)VDS e)VDG Figura 25. Exemplo 5. Soluo a)Para a curva de transferncia, se ID = IDSS/4 = 8 mA/4 = 2 mA, ento VGS = VP/2 = -4V/2 = -2V.AcurvaresultantequerepresentaaequaodeShockleyaparecenaFigura26.A equao do circuito definida por: 2 12R RV RVDDG+= + =M MV k27 , 0 1 , 2) 16 )( 270 ( = 1,82 V e VGS = VG - IDRS = 1,82 V ID(1,5 k) Quando ID = 0 mA: VGS = + 1,82 V Quando VGS = 0 V: mAkVID21 , 15 , 182 , 1==A reta de polarizao resultante mostrada na Figura 26 com os seguintes valores quiescentes: IDQ = 2,4 Ma e VGSQ = - 1,8 V Figura 26. Determinao do ponto Q para o circuito da Figura 25. b)VD = VDD - IDRD = 16 V (2,4 Ma)(2,4 k) = 10,24 V c)VS = IDRS = (2,4 Ma)(1,5 k) = 3,6 V d)VDS = VDD ID(RD + RS) = 16 V (2,4 mA)(2,4 k + 1,5 k) = 6,64 V ou VDS = VD VS = 10,24 V 3,6 V =6,64 V e)Emborararamentepedida,atensoVDG podeserdeterminadademaneiramuitofcil, utilizando: VDG = VD VG = 10,24 V 1,82 V = 8,42 V 5.MOSFET TIPO DEPLEO AdiferenaprincipalentreMOSFETeFETofatodequeoMOSFETtipodepleo apresentapontosdeoperaocomvalorespositivosdeVGSevaloresdeISmaioresqueIDSS. Paratodasasconfiguraesdiscutidasatagora,aanliseamesmaseumJFETfor substitudo por um MOSFET tipo depleo, inclusive as equaes e solues algbricas. A nica parte da anlise que no foi definida como traar o grfico da equao do Shockley paravalorespositivosdeVGS.ParaaregiodevalorespositivosdeVGS.Paraaregiode valorespositivosdeVGS evaloresdeID maioresdoqueIDSS, atquepontoacurvade transfernciaseestende?Paramuitassituaes,essaregioserrazoavelmentebemdefinida pelosparmetrosdoMOSFETepelaretadepolarizaoresultantedocircuito.Alguns exemplos revelaro o impacto da mudana no dispositivo sobre a anlise resultante. EXEMPLO 7. Para o MOSFET tipo depleo de canal n da Figura 30, determine: a)IDQ e VGSQ b)VDS Figura 30. Exemplo 7. Soluo a)Para a curva de transferncia, um ponto no grfico definido por ID = IDSS /4 = 6 mA/4 = 1,5 mA e VGS = VP/2 = - 3 V/2 = 1,5 V. Considerando o valor de VP e o fato de a equao deShockleydefinirumacurvaquecrescemaisrapidamentemedidaqueVGS setorna maispositivo,umpontonogrficoserdefinidoemVGS =+1V.Asubstituiona equao resultar em: 21|||

\| =PGDSS DVVI I= 6 mA2311||

\|+vv= 6 mA2311||

\|+ = 6 Ma (1,778) = 10,67 mA AcurvadetransfernciaresultanteaparecenaFigura31.Procedendodamaneiradescritano JFET, temos: Equao (15): VM MV MVG5 , 1110 10) 18 ( 10= + =Equao (16) VGS = VG IDRS = 1,5 V ID(750 ) Estabelecer ID = 0 mA resulta em: VGS = VG = 1,5 V Estabelecer VGS = 0 V produz: mAVRVISGD27505 , 1== =OspontosnogrficoearetadepolarizaoresultanteaparecemnaFigura31.Opontode operao resultante : IDQ = 3,1 Ma VGSQ = - 0,8 V Figura 31. Exemplo 7. b)Equao (19) VDS = VDD ID (RD + RS) = 18 V (3,1 mA)(1,8 k + 750 ) 10,1 V 6.MOSFET TIPO INTENSIFICAO AcurvacaractersticadetransfernciadoMOSFETtipointensificaobemdiferente daquela obtida para o JFETe o MOSFET tipo depleo, resultandoem uma soluogrfica bem diferente daquela apresentada at agora. Para o MOSFET tipo intensificao de canal n, a corrente de dreno zero para valores de tenso porta-fonte menores do que o valor de limiar VGS(TB),comomostradonaFigura36.ParavaloresdeVGSmaioresqueVGS(TB),acorrentede dreno definida por: ID = k(VGS VGS(TB))2 (25) Figura 36. Curva caracterstica de transferncia de um MOSFET tipo intensificao de canal n. Asfolhasdedadosgeralmentefornecematensodelimiareumvalordecorrentededreno (ID(ligado)) para um valor de VGS(ligado), so definidos dois pontos imediatamente, com mostrado naFigura36.Paracompletaracurva,aconstantekdaEquao(25)deveserdeterminadaa partir dos valores obtidos das folhas de dados substitudos na Equao (25) e resolvidos para k, conforme indicado a seguir: ID = k(VGS VGS(TB))2 ID(ligado) = k(VGS(ligado) - VGS(TB))2 e ( )( )2) () (Tb GS ligado GSligado DV VIk= (26) Umavezquekestejadefinido,podem-sedeterminaroutrosvaloresdeIDparavalores selecionados de VGS. Geralmente um ponto entre VGS(Tb), e VGS(ligado) e outro um pouco maior do queVGS(ligado)oferecemumnmerosuficientedepontosparatraaraEquao(25)(observe ID1 e ID2 na Figura 36). Configurao de Polarizao com Realimentao Na Figura 37 mostrada uma configurao de polarizao bastante utilizada para o MOSFET tipointensificao.OresistorRG ofereceumaltovalordetensoportadoMOSFET, ligando-o.UmavezqueIG=0mAeVRG=0V,ocircuitoccequivalentetemaforma mostrada na Figura 38. Agora existe uma conexo direta entre dreno e porta, o que resulta em: VD = VG E VDS = VGS (27) Figura 37. Configurao de polarizao com realimentao. Figura 38. Equivalente cc do circuito da Figura 37. Para o circuito de sada: VDS = VDD - IDRD que, com a utilizao da Equao (27), torna-se: VGS = VDD - IDRD(28) Oresultadoumaequaoquerelacionaasmesmasduasvariveis,comnaEquao(25), permitindo o traado de ambas no mesmo conjunto de eixos. ComoaEquao(28)representaumalinhareta,pode-seempregaromesmoprocedimento descritoanteriormenteparadeterminarosdoispontosquedefinemotraadonogrfico. Substituindo ID = 0 mA na Equao (28), obtemos: VGS = VDD|ID = 0 mA(29) Substituindo VGS = 0 V na Equao (28), obtemos: V VGSDDDDRVI0|== (30) OsgrficosdefinidospelasEquaes(25)e(28)aparecemnaFigura39comopontode operao resultante. Figura 39. Determinao do ponto Q para o circuito da Figura 37. EquaesSoluoalgbricageralparaopontodepolarizaodoscircuitosNMOSePMOScom polarizao por realimentao AAC B BID242 =Onde 2DR A =((

+ =1|) | | (| 2D T DDR V V B( )2| | | |T DDV V C =) | | | | | |D D DD GS DSR I V V V = = ,positivo paraNMOS e negativo paraPMOS EXEMPLO 11 Determine IDD e VDSQ para o MOSFET tipo intensificao da Figura 40. Figura 40.Exemplo 11. Soluo Grfico da curva de transferncia: Dois pontos so definidos imediatamente, como mostrado na Figura 41. Resolvendo para k: Equao (26): 2) () () (Tb GSligado GSligado DV VIk=

232/2510 6) 3 8 (6V AV VmA== = 0,24 X 10-3 A/V2 Para VGS = 6 V (entre 3 V e 8 V): ID = 0,24 X 10-3 (6 V 3 V)2 = 0,24 x 10-3 (9) = 2,16 mA como mostrado na Figura 41. Para VGS = 10 V (um pouco maior do que VGS(Tb): ID = 0,24 X 10-3 (10 V 3 V)2 = 0,24 x 10-3 (49) = 11,76 mA comotambmmostradonaFigura41.Osquatropontossosuficientesparatraartodaa curva na faixa de interesse, conforme indicado nessa mesma figura. Figura 41. Grfico da curva de transferncia para o MOSFET da Figura 40. Para a reta de polarizao do circuito: VGS = VDD - IDRD = 12 V - ID(2 k) Equao (29): VGS = VDD = 12 V|ID = 0 mA Equao (30) VVDDDDGSmAkVRVI0| 6212=== =A reta de polarizao resultante aparece na Figura 42. Figura 42. Determinao do ponto Q para o circuito da Figura 40. No ponto de operao: IDQ = 2,75 mA e VGSQ = 6,4 V com VDSQ = VGSQ = 6,4 V Configurao de Polarizao com Divisor de Tenso Na Figura 43 mostrada outra configurao de polarizao muito utilizada, para o MOSFET tipointensificao.OfatodequeIG=0mAresultanaequaoaseguirparaVGG,quenada mais do que a aplicao da regra do divisor de tenso. 2 12R RV RVDDG+=(31) A aplicao da lei de Kirchhoff para tenses ao longo da malha indicada na Figura 43 resulta em: + VG - VGS VRS = 0e VGS = VG VRS ou VGS = VG - IDRS (32) Para a seo de sada: VRS + VDS + VRD VDD = 0 e VDS = VDD VRS VRD ou VDS = VDD ID(RS+ RD) (33) Figura43.ConfiguraocompolarizaopordivisordetensoparaumMOSFETde intensificao de canal n. Como a curva caracterstica representa um grfico de ID versus VGS e a Equao (32) relaciona asmesmasduasvariveis,asduascurvaspodemsertraadasnomesmogrficoeasoluo podeserdeterminadanainterseo.UmavezqueIDQeVGSQsejamconhecidos,todosos demais parmetros do circuito, com VDS, VD e VS podem ser determinados. EquaesSoluoalgbricageralparaopontodepolarizaodoscircuitosNMOSePMOScom polarizao por divisor de tenso AAC B BID242 =| | | |2 12DD GVR RRV+=Onde 2sR A =((

+ =1|) | | (| 2S T GR V V B( )2| | | |T GV V C =) ( | | | |s D D DD DSR R I V V + = ,VDSpositivoparaFETNMOSenegativoparaumFETPMOS S D G GSR I V V = | | | | , VGS positivo para FETNMOS e negativo para um FETPMOSEXEMPLO 12 Determine IDQ, VGSQ e VDS para o circuito da Figura 44. Figura 44. Exemplo 12. Soluo Circuito Equao (31): VM MV MR RV RVDDG1818 22) 40 )( 18 (2 12= + =+=Equao (32) VGS = VG IDRS = 18 V - ID(0,82 k) Quando ID = 0 mA: VGS = 18 V (0 mA)(0,82 k) = 18 V como mostra a Figura 45. Quando VGS = 0 V: VGS = 18 V - ID(0,82 k) 0 = 18 V - ID(0,82 k) mAkVID95 , 2182 , 018==como mostra a Figura 45. Quando VGS = 0 V: Figura 45. Determinao o ponto Q para o circuito do Exemplo 12. Dispositivo: VGS(Tb) = 5 V, ID(ligado) = 3 mA com VG(ligado) = 10 V Equao (26) 2) ( ) () ((Tb GS ligado GSligado DV VIk= 2 32/ 10 12 , 0) 5 10 (3V A XV VmA==ID = k(VGS - VGS(Tb))2 = 0,12 X 10-3 (VGS 5)2

que traado no mesmo grfico (Figura 45). Da Figura 45: mA IDQ7 , 6 GSQV = 12,5 V Equao (33): VDS = VDD - ID(RS + RD) = 40 V (6,7 mA)(0,82 k + 30 k) = 40 V 25,6 V = 14,4 V 7.TABELA RESUMO Agora que j foram introduzidas as configuraes mais utilizadas para os diversos dispositivos FETs,naTabela1sorevistososprincipaisresultadoseassemelhanasexistentesentreas abordagensparaasvriasconfiguraes.Almdisso,mostradoque,demaneirageral,a anlisedasconfiguraesccparaosFETsnotocompelxa.Umavezqueesteja estabelecida a curva caracterstica de transferncia, pode-se desenhar a reta de autopolarizao docircuitoedeterminaropontoQnainterseo.Paraorestantedaanlise,soaplicadas simplesmente as leis bsicas de anlise de circuitos. Tabela 1. Configuraes de polarizao para o FET