Bpt(transistor de potencia)
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Transistores de Potência
Comportamento Dinâmico e Estático;
Freqüência de Chaveamento;
Potência;
Características Físicas;
Aplicações;
Novas Aplicações.
André, Dáfine, Eduardo, Kenji, Nagai, Ulisses
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Transistor Bipolar de Potencia (BPT)
• O BPT é
sempre do
tipo NPN• A corrente flui
através do BPT
verticalmente
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Transistor Bipolar de Potencia (BPT)
Referência Características Aplicações Caixa Pinagem
BUT102 400/300V, 50A, 300W
ChaveamentoPotencia
1-Emissor2-Base3-Coletor
BUT98 850/450V, 30A, 200W
ChaveamentoPotencia
1-Base2-Coletor3-Emissor4-Coletor
BUT11 850/400V, 5A, 100W
ChaveamentoPotencia
1-Base2-Coletor3-Emissor4-Coletor
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POTÊNCIA DOS TRANSÍSTORES
De acordo com a quantidade de calor que o transístor pode suportar
classificamos em :
• 1 - Transístores de baixa potência - Tem o corpo pequeno e
são usados em circuitos de baixo consumo de energia elétrica. É
o tipo mais usado.
• 2 - Transístores de média potência - Possuem o corpo um
pouco maior (geralmente retangulares). Alguns têm uma aba
metálica para parafusá-lo num dissipador de calor.
• 3 - Transístores de alta potência - Possuem o corpo todo
metálico ou retangular de plástico com um furo para parafusá-lo
num dissipador. Abaixo vemos exemplos das categorias citadas:
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Características Estáticas do Transistor
Bipolar de Potencia (BPT)
•Região Ativa
•Região de Corte
•Região Quase
Saturação
•Região de Forte
Saturação
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Características Estáticas do Transistor
Bipolar de Potencia (BPT)
• Primeira Avalanche (Ruptura)
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Características Estáticas do Transistor
Bipolar de Potencia (BPT)
• Segunda Avalanche (Ruptura)
Devido a elevadas concentrações de corrente
numa determinada região.
Devido característica do coeficiente negativo de
temperatura, o aumento da corrente reduz a
resistência do componente que aumenta a
corrente e a temperatura e, assim
sucessivamente até a ruptura.
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Características Dinâmicas do
Transistor Bipolar de Potencia (BPT)
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Transistor Operando como Chave
• O circuito a transistor na configuração chave, é definido por quanto IB é maior que IBSAT , para garantir a saturação.
• Junção CB - diretamente polarizada, VCB variando de 0,4V a 0,5V. Transistor na região de saturação.
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Transistor Operando como Chave
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Transistor Operando como Chave
• Passam para o estado ligado em menos de 1µs e
para desligado em menos de 2µs. São usados em
aplicações cuja freqüência chega à 100 kHz
DISPOSITIVOCAPACIDADE DE
POTÊNCIAVELOCIDADE DE CHAVEAMENTO
Transistor Bipolar Média Média
MOSFET Baixa Rápida
GTO Alta Lenta
IGBT Média Média
MCT Média Média
Tipos de Chave
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Regiões de Operação
• 1 – CorteO transistor está desligado ou a corrente IB não é grande o suficiente paraligá-lo e as junções estão reversamente polarizadas.
• 2 – SaturaçãoO transistor funciona como um amplificador onde IC é amplificada peloganho de corrente β e a diminuição da queda VCE. A junção coletor-baseestá reversamente polarizada e a junção base-emissor, diretamentepolarizada.
• 3 – AtivaA corrente de base IB é suficientemente grande, fazendo com que a tensãoVCE seja muito baixa. Assim, o transistor opera como chave. Ambas asjunções estão diretamente polarizadas.
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Regiões de Operação
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Modelos de Transistores
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Aplicações no Campo da Eletrônica• Amplificador de Corrente , na configuração Darlington, o
ganho final é o produto dos ganhos de cada transistor;
• Prós: alta impedância de entrada e alto ganho de corrente
(~1000X);
• Contras: elevado tempo de comutação, queda de tensão, alto
custo do circuito de controle.
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Obrigado!