Aparecido Nicolett

PUC - SP

Aula 14

Transistor Bipolar de Junção

(pág. 95 a 101)

Slide 1 Construção do Transistor

Existem dois tipos de transistores: pnp e npn.

Nomenclatura:

E - Emissor

B - Base

C - Coletor

0.15pol.

0.001pol.

Fig. 3.2

Slide 2 Operação do Transistor

Junção diretamente polarizada.

Fig. 3.3

Slide 3

Junção reversamente polarizada.

Fig. 3.4

Slide 4

VEE e VCC são fontes externas:

A junção B-E está diretamente polarizada e a junção B-C está reversamente polarizada.

Fig. 3.5

Slide 5 Primeiro Transistor Bipolar (1947)

Fig. 3.1

Slide 6 Correntes no Transistor

IC é composta por duas correntes:

(3.1)

(3.2)

BCE III +=

COminorityCmajorityC III +=

Fig. 3.9

Slide 7 Configuração Base Comum

A base é comum para a entrada (emissor – base) e saída (coletor – base) do transistor.

Fig. 3.6

Slide 8 Características de um amplificador em Base-Comum

Fig. 3.7

Slide 9 Características de saída para um amplificador em

Base-Comum

Fig. 3.8

Slide 10 3 Regiões de Operação

• Ativa (BE diretamente e BC reversamente polarizadas)

Operação como amplificador.

• Corte (BE e BC reversamente plarizadas)

O transistor está desligado. Existe tensão mas a corrente é

quase zero.

• Saturação (BE e BC diretamente polarizadas)

O transistor está ligado. Existe pouca tensão mas grande

corrente.

Slide 11 Aproximações

(3.3)

(3.4)

EC II ≅

0.7VBE =

Fig. 3.10

Slide 12 Alfa (αααα)

Idealmente α = 1, mas tipicamente está entre 0.9 e 0.998.

Alfa (α), no modo CC, relaciona as correntes IC com IE :

(3.5)

(3.6)

E

Ccc

I

Iα =

constante VE

Cca

CBI

I

∆

∆=α

Alfa (α) no modo CA:

Slide 13 Ação Amplificadora do TBJ

IC ≅ IE então IL ≅ Ii = 10mA

VL = IL * R = (10mA)(5kΩ) = 50V

Ganho de tensão(AV):10mA20

200mV

Ri

ViIiIE ====

250200mV

50V

Vi

VAv

L===