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Centro Federal de Educação Tecnológica de Santa CatarinaDepartamento Acadêmico de Eletrônica
CST em Sistemas Eletrônicos
Placas de Circuito ImpressoPlacas de Circuito ImpressoPlacas de Circuito Impresso Placas de Circuito Impresso e e
O t Di I t tO t Di I t tOutras Dicas ImportantesOutras Dicas ImportantesProjeto Integrador IProjeto Integrador I
Prof. Clóvis Antônio Petry.
Florianópolis, junho de 2008.Florianópolis, junho de 2008.
Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI
1º Passo:Impressão do layout.
3º Passo:2º Passo:Limpeza da placa.
3 Passo:Transferência do layout.
http://www2.eletronica.org/Members/FB/dicas-tabelas/pci_metodo_termico.pdf
Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI
ProcessoProcesso térmicotérmico::
4º Passo:Colocação da placa emágua.
6º Passo:Retirada completa do
5º Passo:Retirada do papel.
papel.
http://www2.eletronica.org/Members/FB/dicas-tabelas/pci_metodo_termico.pdf
Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI
7º Passo:Retoque nas falhas dastrilhas.
9º Passo:Retirada e limpeza.
8º Passo:Corrosão da placa.
http://www2.eletronica.org/Members/FB/dicas-tabelas/pci_metodo_termico.pdf
Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI
ProcessoProcesso térmicotérmico::
10º Passo:Placa corroída e limpa.
12º Passo:Aplicação da máscara
11º Passo:Furação da placa.
de componentes.
http://www2.eletronica.org/Members/FB/dicas-tabelas/pci_metodo_termico.pdf
Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI
ProcessoProcesso dede corrosãocorrosão químicaquímica::
Integrantes:• Água;• Ácido muriático;• Água oxigenadaÁgua oxigenada.
http://www2.eletronica.org/Members/FB/dicas-tabelas/pci_metodo_termico.pdf
Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI
ProcessoProcesso dede corrosãocorrosão químicaquímica::
Integrantes:• Percloreto de ferro.
Cuidado: produto corrosivo.
http://www.overdance.com.br/audio_list/Fazendo%20suas%20placas%20de%20circuito%20impresso.pdf
Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI
ProcessoProcesso dede corrosãocorrosão químicaquímica::
Integrantes:• Percloreto de ferro;• Cortador de placa;• Placa de fenolite;
http://www.sabermarketing.com.br• Placa de fenolite;• Caneta;• Perfurador de placa;• Vasilhame;• Suporte para placa;• Estojo de madeira.
Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI
ProcessoProcesso fotográficofotográfico::
Limpe aLimpe a Geração da máscaraGeração da máscara
Aplicação do PRPAplicação do PRP(tinta (tinta fotosensívelfotosensível))
LimpezaLimpeza Geração da máscaraGeração da máscara
SecagemSecagem
www.pcifacil.com.brwww.pcifacil.com.br
SecagemSecagemSensibilizaçãoSensibilizaçãoRevelaçãoRevelação
Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI
ProcessoProcesso serigráficoserigráfico (silkscreen)(silkscreen)::
Partes do processo:• Serigrafia;• Tela;• Quadro;Quadro;• Preparação da matriz;• Gravação da tela;• Impressão;• Outras.
http://esslee.home.sapo.pt/10-E%20-%202000/Pagina6.htm
Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI
FresagemFresagem::
1º Passo:Desenho da PCI.
3º Passo:f C
2º Passo:Preparação da PCI
Arquivo em formato CAM.
para fresagem.
http://www.ivobarbi.com/download/GuiaTango_Fresa.pdf
Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI
FresagemFresagem::
4º Passo:Preparação da fresadora.
5º Passo:Fresagem da PCI. 6º Passo:
Furação da placa.
http://www.ivobarbi.com/download/GuiaTango_Fresa.pdf
Dimensões reais dos componentesDimensões reais dos componentes
TabelaTabela dede conversãoconversão::
1 polegada = 2,54 centímetros1 in = 2,54 cm
2,54 cm = 25,4 mm
1 mil = 0,025 mm10 mil = 0 25 mm10 mil = 0,25 mm20 mil = 0,50 mm30 mil = 0,75 mm40 mil = 1,0 mm50 mil = 1,25 mm
http://www.cirvale.com.br
Dimensões reais dos componentesDimensões reais dos componentes
Terminais radiais
K i Mit
Terminais axiais
http://www.cirvale.com.br/pdf/Dicas%20para%20clientes.pdf
Kraig Mitzner
Correntes e tensões no circuitoCorrentes e tensões no circuito
l
L d t ilhLargura das trilhas:0,75 mm30 mils
http://www.cirvale.com.br/
Correntes e tensões no circuitoCorrentes e tensões no circuito
http://www.alternatezone.com/
Número de camadas da PCINúmero de camadas da PCI
Múltiplas camadas
Duas camadas
Tecnologia de soldagem dos componentesTecnologia de soldagem dos componentes
Kraig Mitzner
Tecnologia de soldagem dos componentesTecnologia de soldagem dos componentes
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Tecnologia de soldagem dos componentesTecnologia de soldagem dos componentes
http://www.alternatezone.com/
Tecnologia de soldagem dos componentesTecnologia de soldagem dos componentes
http://www.alternatezone.com/
Uso de polígonosUso de polígonos
htt // i l b /
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Isolação entre trilhasIsolação entre trilhas
http://www.alternatezone.com/
Isolação entre trilhasIsolação entre trilhas
CuidadosCuidados comcom trilhastrilhas próximaspróximas::
Problemas durante a transferência ou corrosão!Problemas durante a transferência ou corrosão!
http://www.alternatezone.com/
Roteamento bom x ruimRoteamento bom x ruim
Roteamento bom
Roteamento ruim
http://www.alternatezone.com/
Finalização de ilhas e curvasFinalização de ilhas e curvas
Furo simples Furo metalizado
K i Mit
http://www.alternatezone.com/
Kraig Mitzner
Finalização de ilhas e curvasFinalização de ilhas e curvas
Dimensões dos furos:2 mm x 2 mm2 mm x 2 mm80 mils x 80 mils
Furos: a) correto e b) errado. Dimensões dos furos:1,3 mm x 1,3 mm50 mils x 50 mils
Kraig Mitzner
50 mils x 50 mils
Finalização de ilhas e curvasFinalização de ilhas e curvas
PassagemPassagempelo terminal
do componente
PassagemPassagemusando uma via
especifica
Kraig Mitzner
Distâncias importantesDistâncias importantes
http://www.cirvale.com.br/
Distâncias importantesDistâncias importantes
http://www.cirvale.com.br/
Planos de alimentação e terraPlanos de alimentação e terra
Kraig Mitzner
Planos de alimentação e terraPlanos de alimentação e terra
Kraig Mitzner
Planos de alimentação e terraPlanos de alimentação e terra
Diminuindo distância entre trilhasDiminuindo distância entre trilhas
Cuidado com cabos soltosCuidado com cabos soltos
Uso de capacitores próximo a circuitos integradosUso de capacitores próximo a circuitos integrados
+15V
C1
100nF
ErradoErrado
2 1
8 5
U1ErradoErrado
3
4
7
6
LM311
C2
100nF
-15V CorretoCorreto
Semicondutores de potência (evitar trilhas longas)Semicondutores de potência (evitar trilhas longas)
SituaçãoSituação idealideal:: SemSem parasitasparasitas
2SD669 >>> ZTX1055
2SB649 >>> FZT9582SK1058 >>> IRFP240
R27+VDC
55V
2SB649 >>> FZT955Equivalências de transistores:
Q3Q2N5401
R1120C4
220uF
0
R7
1k
Q4Q2N5401
R810k
R910k
2SB649 >>> FZT958
R171k
C547uF
ZTX1055A/ZTX
Q11
R14100
R27100
R1515
R32
470
R16
100
R31
470
R2315k
PARAMETERS:Fin = 1k
55V
D2D1N4148
0
Q13
Q15
IRFP9240
Q16
IRFP9240
C120.1uF
0
R33
FZT955/ZTXQ8
R27100
R31Q16
Q1Q2N5401
R370.22
Q2Q2N5401
R2100
R3100 R38
0.22
R42
10
0
P11K
SET = 0.50
R18220
R24150
FZT955/ZTXQ12
R4110
C2
22uF
C1
22uF
Vin
R25150
C100.1uF
R410k 0
C847uF
1 2L1
1uH
Vo
R34
270
R390.22
R400.22
V1
FREQ = {Fin}VAMPL = 1.4VOFF = 0
ZTX1055A/ZTX
Q7
Carga8
0
R431Meg
0
R2810
para entrada aDistorção na saída
partir de 1.57 V
R2910
R19
0
D3D1N4148
Q13
Q2N5551
Q14Q2N5401
R11
330
R10
10k
R12330
C6
15pF
Para 120 W na saídaa entrada deve serde 1.4 V
C7220uF
0
W
W
VV
D1D1N4148
R33
270
R32
470
470
Q15
IRFP9240
IRFP9240
Q18
IRFP240C3220uF
0 Q10
Q2N5551
Q9
Q2N5551
R533
R633
C13
100pF
R131k
Q19
Q2N5551
C9
500pF
ZTX1055A/ZTX
Q6
R20
1k
R30100
ZTX1055A/ZTX
Q5
R211k
R2247
470
1k
-VDC55V
100
0
R2615k
R36
4700
C110.1uF
0
Q17
IRFP240
Title
Size Document Number Rev
Date: Sheet of
<Doc> <Rev Code>
<Title>
Custom
1 1Thursday , April 17, 2008
Semicondutores de potência (evitar trilhas longas)Semicondutores de potência (evitar trilhas longas)
SituaçãoSituação idealideal:: TensãoTensão drenodreno--sourcesource
SS b t ãb t ãSemSem sobretensãosobretensão
Semicondutores de potência (evitar trilhas longas)Semicondutores de potência (evitar trilhas longas)
SituaçãoSituação realreal:: ComCom indutânciasindutâncias parasitasparasitas
2SD669 >>> ZTX1055
2SB649 >>> FZT9582SK1058 >>> IRFP240
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55V
2SB649 >>> FZT955Equivalências de transistores:
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2
L210uH
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R7
1k
Q4Q2N5401
R810k
R910k
2SB649 >>> FZT958
R171k
C547uF
ZTX1055A/ZTX
Q11
R14100
R27100
R1515
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R16
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R31
470
R2315k
PARAMETERS:Fin = 1k
55V
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Q13
Q15
IRFP9240
Q16
IRFP9240
C120.1uF
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R33
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470
Q15
IRFP9240
Q16
IRFP9240
C120.1uF
0
1
R32
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Q2Q2N5401
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R3100 R38
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SET = 0.50
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para entrada aDistorção na saída
partir de 1.57 V
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C6
15pF
Para 120 W na saídaa entrada deve serde 1.4 V
C7220uF
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W
W
VV
D1D1N4148
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270IRFP9240
Q18
IRFP240C3220uF
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Q2N5551
Q9
Q2N5551
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Q2N5551
C9
500pF
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Q6
R20
1k
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ZTX1055A/ZTX
Q5
R211k
R2247
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1k
-VDC55V
100
0
R2615k
R36
4700
C110.1uF
0
Q17
IRFP240
Title
Size Document Number Rev
Date: Sheet of
<Doc> <Rev Code>
<Title>
Custom
1 1Thursday , April 17, 2008
Semicondutores de potência (evitar trilhas longas)Semicondutores de potência (evitar trilhas longas)
SituaçãoSituação realreal:: TensãoTensão drenodreno--sourcesource
CC b t ãb t ãComCom sobretensãosobretensão
Proteção do gatilho de Proteção do gatilho de MOSFETsMOSFETs
PosicionarPosicionar oo maismais próximopróximo possívelpossível dodo MOSFETMOSFET::
ParaPara circuitocircuito comcom tensãotensão dede gatilhogatilho apenasapenas positivapositiva..
Proteção do gatilho de Proteção do gatilho de MOSFETsMOSFETs
PosicionarPosicionar oo maismais próximopróximo possívelpossível dodo MOSFETMOSFET::
ParaPara circuitocircuito comcom tensãotensão dede gatilhogatilho positivapositiva ee negativanegativa..