Placas Circuito Impresso e Outras Dicas [Modo de ...
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Centro Federal de Educação Tecnológica de Santa CatarinaDepartamento Acadêmico de Eletrônica
CST em Sistemas Eletrônicos
Placas de Circuito ImpressoPlacas de Circuito ImpressoPlacas de Circuito Impresso Placas de Circuito Impresso e e
O t Di I t tO t Di I t tOutras Dicas ImportantesOutras Dicas ImportantesProjeto Integrador IProjeto Integrador I
Prof. Clóvis Antônio Petry.
Florianópolis, junho de 2008.Florianópolis, junho de 2008.
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Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI
1º Passo:Impressão do layout.
3º Passo:2º Passo:Limpeza da placa.
3 Passo:Transferência do layout.
http://www2.eletronica.org/Members/FB/dicas-tabelas/pci_metodo_termico.pdf
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Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI
ProcessoProcesso térmicotérmico::
4º Passo:Colocação da placa emágua.
6º Passo:Retirada completa do
5º Passo:Retirada do papel.
papel.
http://www2.eletronica.org/Members/FB/dicas-tabelas/pci_metodo_termico.pdf
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Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI
7º Passo:Retoque nas falhas dastrilhas.
9º Passo:Retirada e limpeza.
8º Passo:Corrosão da placa.
http://www2.eletronica.org/Members/FB/dicas-tabelas/pci_metodo_termico.pdf
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Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI
ProcessoProcesso térmicotérmico::
10º Passo:Placa corroída e limpa.
12º Passo:Aplicação da máscara
11º Passo:Furação da placa.
de componentes.
http://www2.eletronica.org/Members/FB/dicas-tabelas/pci_metodo_termico.pdf
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Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI
ProcessoProcesso dede corrosãocorrosão químicaquímica::
Integrantes:• Água;• Ácido muriático;• Água oxigenadaÁgua oxigenada.
http://www2.eletronica.org/Members/FB/dicas-tabelas/pci_metodo_termico.pdf
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Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI
ProcessoProcesso dede corrosãocorrosão químicaquímica::
Integrantes:• Percloreto de ferro.
Cuidado: produto corrosivo.
http://www.overdance.com.br/audio_list/Fazendo%20suas%20placas%20de%20circuito%20impresso.pdf
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Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI
ProcessoProcesso dede corrosãocorrosão químicaquímica::
Integrantes:• Percloreto de ferro;• Cortador de placa;• Placa de fenolite;
http://www.sabermarketing.com.br• Placa de fenolite;• Caneta;• Perfurador de placa;• Vasilhame;• Suporte para placa;• Estojo de madeira.
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Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI
ProcessoProcesso fotográficofotográfico::
Limpe aLimpe a Geração da máscaraGeração da máscara
Aplicação do PRPAplicação do PRP(tinta (tinta fotosensívelfotosensível))
LimpezaLimpeza Geração da máscaraGeração da máscara
SecagemSecagem
www.pcifacil.com.brwww.pcifacil.com.br
SecagemSecagemSensibilizaçãoSensibilizaçãoRevelaçãoRevelação
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Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI
ProcessoProcesso serigráficoserigráfico (silkscreen)(silkscreen)::
Partes do processo:• Serigrafia;• Tela;• Quadro;Quadro;• Preparação da matriz;• Gravação da tela;• Impressão;• Outras.
http://esslee.home.sapo.pt/10-E%20-%202000/Pagina6.htm
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Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI
FresagemFresagem::
1º Passo:Desenho da PCI.
3º Passo:f C
2º Passo:Preparação da PCI
Arquivo em formato CAM.
para fresagem.
http://www.ivobarbi.com/download/GuiaTango_Fresa.pdf
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Método de obtenção da PCIMétodo de obtenção da PCI
FresagemFresagem::
4º Passo:Preparação da fresadora.
5º Passo:Fresagem da PCI. 6º Passo:
Furação da placa.
http://www.ivobarbi.com/download/GuiaTango_Fresa.pdf
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Dimensões reais dos componentesDimensões reais dos componentes
TabelaTabela dede conversãoconversão::
1 polegada = 2,54 centímetros1 in = 2,54 cm
2,54 cm = 25,4 mm
1 mil = 0,025 mm10 mil = 0 25 mm10 mil = 0,25 mm20 mil = 0,50 mm30 mil = 0,75 mm40 mil = 1,0 mm50 mil = 1,25 mm
http://www.cirvale.com.br
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Dimensões reais dos componentesDimensões reais dos componentes
Terminais radiais
K i Mit
Terminais axiais
http://www.cirvale.com.br/pdf/Dicas%20para%20clientes.pdf
Kraig Mitzner
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Correntes e tensões no circuitoCorrentes e tensões no circuito
l
L d t ilhLargura das trilhas:0,75 mm30 mils
http://www.cirvale.com.br/
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Correntes e tensões no circuitoCorrentes e tensões no circuito
http://www.alternatezone.com/
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Número de camadas da PCINúmero de camadas da PCI
Múltiplas camadas
Duas camadas
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Tecnologia de soldagem dos componentesTecnologia de soldagem dos componentes
Kraig Mitzner
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Tecnologia de soldagem dos componentesTecnologia de soldagem dos componentes
http://www.alternatezone.com/
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Tecnologia de soldagem dos componentesTecnologia de soldagem dos componentes
http://www.alternatezone.com/
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Tecnologia de soldagem dos componentesTecnologia de soldagem dos componentes
http://www.alternatezone.com/
![Page 22: Placas Circuito Impresso e Outras Dicas [Modo de ...](https://reader030.fdocumentos.tips/reader030/viewer/2022012420/6174891cb8e0a95476053c46/html5/thumbnails/22.jpg)
Uso de polígonosUso de polígonos
htt // i l b /
http://www.alternatezone.com/
http://www.cirvale.com.br/
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Isolação entre trilhasIsolação entre trilhas
http://www.alternatezone.com/
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Isolação entre trilhasIsolação entre trilhas
CuidadosCuidados comcom trilhastrilhas próximaspróximas::
Problemas durante a transferência ou corrosão!Problemas durante a transferência ou corrosão!
http://www.alternatezone.com/
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Roteamento bom x ruimRoteamento bom x ruim
Roteamento bom
Roteamento ruim
http://www.alternatezone.com/
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Finalização de ilhas e curvasFinalização de ilhas e curvas
Furo simples Furo metalizado
K i Mit
http://www.alternatezone.com/
Kraig Mitzner
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Finalização de ilhas e curvasFinalização de ilhas e curvas
Dimensões dos furos:2 mm x 2 mm2 mm x 2 mm80 mils x 80 mils
Furos: a) correto e b) errado. Dimensões dos furos:1,3 mm x 1,3 mm50 mils x 50 mils
Kraig Mitzner
50 mils x 50 mils
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Finalização de ilhas e curvasFinalização de ilhas e curvas
PassagemPassagempelo terminal
do componente
PassagemPassagemusando uma via
especifica
Kraig Mitzner
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Distâncias importantesDistâncias importantes
http://www.cirvale.com.br/
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Distâncias importantesDistâncias importantes
http://www.cirvale.com.br/
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Planos de alimentação e terraPlanos de alimentação e terra
Kraig Mitzner
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Planos de alimentação e terraPlanos de alimentação e terra
Kraig Mitzner
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Planos de alimentação e terraPlanos de alimentação e terra
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Diminuindo distância entre trilhasDiminuindo distância entre trilhas
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Cuidado com cabos soltosCuidado com cabos soltos
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Uso de capacitores próximo a circuitos integradosUso de capacitores próximo a circuitos integrados
+15V
C1
100nF
ErradoErrado
2 1
8 5
U1ErradoErrado
3
4
7
6
LM311
C2
100nF
-15V CorretoCorreto
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Semicondutores de potência (evitar trilhas longas)Semicondutores de potência (evitar trilhas longas)
SituaçãoSituação idealideal:: SemSem parasitasparasitas
2SD669 >>> ZTX1055
2SB649 >>> FZT9582SK1058 >>> IRFP240
R27+VDC
55V
2SB649 >>> FZT955Equivalências de transistores:
Q3Q2N5401
R1120C4
220uF
0
R7
1k
Q4Q2N5401
R810k
R910k
2SB649 >>> FZT958
R171k
C547uF
ZTX1055A/ZTX
Q11
R14100
R27100
R1515
R32
470
R16
100
R31
470
R2315k
PARAMETERS:Fin = 1k
55V
D2D1N4148
0
Q13
Q15
IRFP9240
Q16
IRFP9240
C120.1uF
0
R33
FZT955/ZTXQ8
R27100
R31Q16
Q1Q2N5401
R370.22
Q2Q2N5401
R2100
R3100 R38
0.22
R42
10
0
P11K
SET = 0.50
R18220
R24150
FZT955/ZTXQ12
R4110
C2
22uF
C1
22uF
Vin
R25150
C100.1uF
R410k 0
C847uF
1 2L1
1uH
Vo
R34
270
R390.22
R400.22
V1
FREQ = {Fin}VAMPL = 1.4VOFF = 0
ZTX1055A/ZTX
Q7
Carga8
0
R431Meg
0
R2810
para entrada aDistorção na saída
partir de 1.57 V
R2910
R19
0
D3D1N4148
Q13
Q2N5551
Q14Q2N5401
R11
330
R10
10k
R12330
C6
15pF
Para 120 W na saídaa entrada deve serde 1.4 V
C7220uF
0
W
W
VV
D1D1N4148
R33
270
R32
470
470
Q15
IRFP9240
IRFP9240
Q18
IRFP240C3220uF
0 Q10
Q2N5551
Q9
Q2N5551
R533
R633
C13
100pF
R131k
Q19
Q2N5551
C9
500pF
ZTX1055A/ZTX
Q6
R20
1k
R30100
ZTX1055A/ZTX
Q5
R211k
R2247
470
1k
-VDC55V
100
0
R2615k
R36
4700
C110.1uF
0
Q17
IRFP240
Title
Size Document Number Rev
Date: Sheet of
<Doc> <Rev Code>
<Title>
Custom
1 1Thursday , April 17, 2008
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Semicondutores de potência (evitar trilhas longas)Semicondutores de potência (evitar trilhas longas)
SituaçãoSituação idealideal:: TensãoTensão drenodreno--sourcesource
SS b t ãb t ãSemSem sobretensãosobretensão
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Semicondutores de potência (evitar trilhas longas)Semicondutores de potência (evitar trilhas longas)
SituaçãoSituação realreal:: ComCom indutânciasindutâncias parasitasparasitas
2SD669 >>> ZTX1055
2SB649 >>> FZT9582SK1058 >>> IRFP240
R27+VDC
55V
2SB649 >>> FZT955Equivalências de transistores:
C12
2
L210uH
Q3Q2N5401
R1120C4
220uF
0
R7
1k
Q4Q2N5401
R810k
R910k
2SB649 >>> FZT958
R171k
C547uF
ZTX1055A/ZTX
Q11
R14100
R27100
R1515
R32
470
R16
100
R31
470
R2315k
PARAMETERS:Fin = 1k
55V
D2D1N4148
0
Q13
Q15
IRFP9240
Q16
IRFP9240
C120.1uF
0
R33
FZT955/ZTXQ8 R31
470
Q15
IRFP9240
Q16
IRFP9240
C120.1uF
0
1
R32
470
Q1Q2N5401
R370.22
Q2Q2N5401
R2100
R3100 R38
0.22
R42
10
0
P11K
SET = 0.50
R18220
R24150
FZT955/ZTXQ12
R4110
C2
22uF
C1
22uF
Vin
R25150
C100.1uF
R410k 0
C847uF
1 2L1
1uH
Vo
R34
270
R390.22
R400.22
V1
FREQ = {Fin}VAMPL = 1.4VOFF = 0
ZTX1055A/ZTX
Q7
Carga8
0
R431Meg
0
R2810
para entrada aDistorção na saída
partir de 1.57 V
R2910
R19
0
D3D1N4148
Q13
Q2N5551
Q14Q2N5401
R11
330
R10
10k
R12330
C6
15pF
Para 120 W na saídaa entrada deve serde 1.4 V
C7220uF
0
W
W
VV
D1D1N4148
R33
270IRFP9240
Q18
IRFP240C3220uF
0 Q10
Q2N5551
Q9
Q2N5551
R533
R633
C13
100pF
R131k
Q19
Q2N5551
C9
500pF
ZTX1055A/ZTX
Q6
R20
1k
R30100
ZTX1055A/ZTX
Q5
R211k
R2247
470
1k
-VDC55V
100
0
R2615k
R36
4700
C110.1uF
0
Q17
IRFP240
Title
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1 1Thursday , April 17, 2008
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Semicondutores de potência (evitar trilhas longas)Semicondutores de potência (evitar trilhas longas)
SituaçãoSituação realreal:: TensãoTensão drenodreno--sourcesource
CC b t ãb t ãComCom sobretensãosobretensão
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Proteção do gatilho de Proteção do gatilho de MOSFETsMOSFETs
PosicionarPosicionar oo maismais próximopróximo possívelpossível dodo MOSFETMOSFET::
ParaPara circuitocircuito comcom tensãotensão dede gatilhogatilho apenasapenas positivapositiva..
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Proteção do gatilho de Proteção do gatilho de MOSFETsMOSFETs
PosicionarPosicionar oo maismais próximopróximo possívelpossível dodo MOSFETMOSFET::
ParaPara circuitocircuito comcom tensãotensão dede gatilhogatilho positivapositiva ee negativanegativa..