Transistor bipolar de junção

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nsistor bipolar de junção Estrutura: >3 terminais(emissor, base, coletor) >2 junções p-n com polaridades opostas(p-n-p ou n-p-n) >a espessura da base deve ser menor que o comprimento de difusão (Lp ou Ln) Principio físico de funcionamento: >uma pequena variação de corrente na base, pode controlar uma corrente muito maior no coletor. >Os elétrons/buracos produzidos no emissor tem recombinação controlada pela corrente de base, a corrente de coletor é o que não recombina. Características I x V: Simbolo: Aplicações: >Amplificador: ponto de operação deve estar na região ativa. Variação da corrente de base deve ser pqna. >Chaveamento: pqna

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>a espessura da base deve ser menor que o comprimento de difusão (Lp ou Ln). Principio físico de funcionamento: >uma pequena variação de corrente na base, pode controlar uma corrente muito maior no coletor. - PowerPoint PPT Presentation

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Page 1: Transistor bipolar de junção

Transistor bipolar de junçãoEstrutura: >3 terminais(emissor, base, coletor) >2 junções p-n com polaridades opostas(p-n-p ou n-p-n)

>a espessura da base deve ser menor que o comprimento de difusão (Lp ou Ln)

Principio físico de funcionamento: >uma pequena variação de corrente na base, pode controlar uma corrente muito maior no coletor. >Os elétrons/buracos produzidos no emissor tem recombinação controlada pela corrente de base, a corrente de coletor é o que não recombina.

Características I x V:

Simbolo: Aplicações: >Amplificador: ponto de operação deve estar na região ativa. Variação da corrente de base deve ser pqna.>Chaveamento: pqna corrente de base. OFF(não passa I) / ON(na corrente de saturação)