ORGANIZAÇÃO E ARQUITETURA DE COMPUTADORES

ANDERSON ZARDO

VINÍCIUS SOUZA

A HISTÓRIA DO TRANSÍSTOR

CAXIAS DO SUL

2011

Com a invenção da válvula triodo, a partir da válvula diodo, muitos pesquisadores passaram a trabalhar com a possibilidade de se controlar a corrente num retificador de estado sólido (um diodo semicondutor), a partir de algum eletrodo colocado na sua estrutura, mas foi somente depois da segunda guerra mundial  que o germânio e o silício passaram a ser usados. George Clarke Southworth (1890-1972) verificou que as válvulas triodo não alcançavam as altas frequências que se desejava na fabricação de guia de micro-ondas para radares, então passou a utilizar diodos de cristal obtidos de sucatas de rádio. O trabalho com diodos semicondutores em circuitos de altas frequências feitos por este pesquisador foi importante para o desenvolvimento da tecnologia que levou ao transistor. Os Trabalhos de Russel Shoemaker Ohl (1898 -1987) na obtenção de lingotes de silício com alto grau de pureza com as regiões P-N em lados opostos e de Karl Lark-Horovitz (1892 – 1958) no estudo das propriedades retificadoras de alguns elementos como o germânio tiveram também elevado grau de contribuição.

Os pesquisadores que levaram o crédito pela invenção do transistor foram William Bradford Shockley (1910-1989), Walter H. Brattain (1902 - 1987) e John Bardeen (1908-1991). Shockley começou seu trabalho procurando um meio de converter um retificador de cristal em um dispositivo amplificador, trabalho esse retomado após o fim da Segunda Guerra como co-líder do grupo de pesquisa de física do estado sólido. Brattain Trabalhava na Bell em 1929 investigando o funcionamento dos retificadores cobre-óxido até que fora convocado durante a guerra para ajudar no desenvolvimento de detectores de silício para aplicações no Radar, integrando, após o termino da guerra a equipe de Shockley e Brattain. Bardeen, depois da guerra foi para os laboratórios da Bell para trabalhar em problemas teóricos da física do estado sólido, desenvolveu a teoria dos estados quânticos superficiais dos elétrons levando a conclusão de que uma camada de cargas livres existia na superfície dos semicondutores.