Introdução

Retificação contínua, ou fracionamento, é operação multiestágio de destilação em contracorrente. Para uma solução binária, com certas exceções é normalmente

possível separar a mistura em seus componentes, recuperando cada um em um estado de

pureza desejado.

Retificação é provavelmente o método mais frequentemente usado para a

separação, apesar de relativamente novo. Enquanto que a destilação simples é conhecida

despe o primeiro século, e talvez ainda mais cedo, não foi antes de 1830 que Aneas

Coffey de Dublin inventou o retificador multiestágio em contracorrente para destilar

etanol de grãos (TREYBAL, 1981) e conseguiu produzir destilado contendo até 95% de

etanol.

O método de entalpia concentração  (Ponchon-Savarit) é útil para o cálculo dos

fluxos de vapor interno e líquido em qualquer ponto da coluna de fracionamento.

Portanto, esses dados são utilizados para determinar o tamanho dos pratos. Além disso,

as estimativas de qCD e qRW são usados para projetar o condensador e o ebulidor. O

método é perfeitamente aplicável ao projeto através de uma solução computacional para

as misturas binárias e componentes múltiplos de balanços de massa e entalpia de prato a

prato para a torre inteira (GEANKOPLIS, 1998).

Método de Ponchon-SavaritÉ um método gráfico para calcular o número de placas teóricas que prescinde

das hipóteses simplificadoras usuais. Por esta razão, em princípio ele deve ser maisrigoroso do que os anteriores. Outra vantagem deste método é a facilidade com que seobtêm as cargas térmicas do condensador e fervedor. A construção gráfica é feita nodiagrama entalpia-concentração do sistema. Infelizmente diagramas deste tipo são raros,sendo esta a maior limitação do método.

A figura abaixo mostra a diferença do número de pratos teóricos calculadosentre o método de Ponchon-Savarit, representado pelas linhas cheias, e o método deMcCabe e Thiely, representado pelas linhas tracejadas. O número de pratos pelo métodode McCabe e Thiely é de 5,5 o que representa um valor 10% maior enquanto que pelode Ponchon-Savarit são 5 pratos exatos.

Figura 1: Númeto de Pratos pelo método de McCabe e Thiely e Ponchon-Savarit[HENLEY,1981]

Diagrama entalpia-concentraçãoEste diagrama é uma representação das entalpias das misturas líquidas ou

vaporizadas do sistema considerado, em função de sua composição (frações molares ouem peso). (fig. 2).

Figura 2: Diagrama entalpia-concentração

A curva superior representa as entalpias H de vapores saturados, em função de

sua composição y, enquanto a inferior corresponde ao líquido saturado (h vs x). As retas

entre as duas curvas (como LV) são as  retas de equilíbrio ou conjugação. Seus pontos

extremos correspondem às fases de equilíbrio no sistema cujo ponto representativo está

na região de duas fases. Ao ponto P, por exemplo, corresponde uma mistura de líquido

L e vapor V, cujas composições são respectivamente x e y e as entalpias são h e H.

Acima da linha de vapor saturado o sistema é vapor superaquecido. Abaixo da linha do

liquido saturado o sistema é líquido frio ou comprimido. A cada ponto no diagrama

corresponde uma mistura e,  inversamente, a cada mistura corresponde um único ponto

no diagrama.

Particularidades do diagrama entalpia-concentração

Mencionaremos apenas as que são importantes para compreender a apresentação

do método de Ponchon-Savarit: mistura adiabática de duas correntes materiais e mistura

não-adiabática de duas correntes.

Mistura adiabática de duas correntes

Sejam A e B as correntes. A mistura será representada por M. No diagrama

entalpia-concentração essas correntes são representadas pelos pontos A, B e M (fig. 3).

Suas quantidades (pesos ou vazões) também serão representadas pelas mesmas letras.

Assim, de agora em diante cada letra representa ao mesmo tempo:

a corrente

o ponto correspondente no diagrama

sua quantidade

Figura 3: Mistura adiabática de duas correntes

Para operação em regime permanente os balanços materiais e de energia poderãoser escritos como segue:

M=A+B (1)M xM = A xA + B xB (2)M hM = A hA + B hB (3)

Estas expressões fornecem diretamente xM e hM, o que permite localizar o pontoM no diagrama:

Mas há também uma solução gráfica: o ponto M está localizado sobre a reta ABem posição dada pela regra do inverso dos braços de alavanca (RIBA). De fato (fig. 4):

Figura 4: Construção gráfica para localizar o ponto M

Esta igualdade atesta a semelhança dos triângulos AMm e ABb e portanto oalinhamento dos pontos A, B e M. Por outro lado, da equação (4) tira-se:

(A + B) xM = A xA + B XB

O que dissemos é igualmente válido quando da mistura A é retirada da misturaM. Neste caso o ponto representativo da mistura resultante B estará no prolongamentoda reta AM, em localização dada pela RIBA.

Mistura não-adiabática de duas correntes.Sejam A e B as correntes que se misturam para dar a corrente M. Seja Q o calor

(positivo ou negativo) trocado com o meio (fig. 5). Como anteriormente foi feito, osbalanços materiais podem ser escritos, resultando as mesmas equações (4) e (5), mas obalanço de energia é diferente:

Q = ∆H = M hM – (A hA + B hB)M hM = A hA + B hB + Q

Figura 5: Mistura não-adiabática de duas correntes

O calor Q pode ser calculado por unidade de massa de qualquer uma das trêscorrentes que participam da operação:

Estas quantidades representam o calor trocado durante a operação de mistura,por unidade de massa das correntes envolvidas. O balanço de energia poderá ser escritocom qualquer uma delas. Trabalharemos com qm:

M hM = A hA + B hB + M qM

ouM (hM – qM) = A hA + B hB (7)

A localização do ponto correspondente à mistura pode ser feita através dasequações (4) e (7) combinadas com a equação (1):

A primeira relação é a própria (4). O segundo membro da segunda é idêntico aoda relação (5). Assim sendo, as relações (4) e (8) atestam o alinhamento dos pontos A,B e M’ no diagrama. Este último tem coordenadas xm e hm – qm. Em outras palavras, oponto M representativo da mistura acha-se na vertical passando por M’ e distante qm

deste ponto (fig. 6). A figura foi desenhada com a hipótese de qm ser positivo, mas estaquantidade poderia ser negativa, caso em que o ponto M estaria situado abaixo de M’.

Figura 6: Construção gráfica utilizando qM

O cálculo poderia ser feito com qa ou qb em vez de qm, com o resultado indicadonas figs. 7a e b desenhadas com a hipótese de qa e qb serem quantidades positivas.

Figura 7: Construções gráficas utilizando qA e qB

Construção gráfica de Ponchon-Savarit

Consideremos inicialmente a seção de enriquecimento. Os balanços realizadosno sistema (I) envolvendo o condensador e as n primeiras placas a contar do topo dacoluna permitem escrever (fig. 8):

Figura 8: Balanços no topo da coluna

Vn+1 = Ln + D (9)Vn+1 yn+1 = Ln xn + D xD (10)QC = Ln hn + D hD – Vn+1 Hn+1

ouVn+1 Hn+1 = Ln hn + D (hD – qCD) (11)

Nesta última expressão, qCD = QC/D, um valor negativo, é o calor cedido pelosvapores à água de resfriamento no condensador. Estas equações indicam que os pontosVn+1, Ln e D’ (coordenadas xD e h – qCD) estão alinhados no diagrama entalpia-concentração (fig. 9). Como a placa n é genérica, conclui-se que qualquer reta partindode D’ e passando por Ln determina Vn+1. Nosso problema será localizar D’ que é, comovemos, o pólo de toda a construção gráfica para relacionar as composições e entalpiasde duas correntes que se cruzam entre duas placas da seção de enriquecimento.

O calor  trocado mo condensador depende da razão de  refluxo. A  relação entreqCD e r pode ser obtida diretamente a partir dos balanços em torno do condensador.Estes, por sua vez, poderão ser tirados diretamente das equações (9), (10) e (11) quevalem em particular para o condensador:

V1 = R + DV1 y1 = R xR + D XD

V1 H1 = R hR + D (hD – qCD)

Figura 9: Construção gráfica para a seção de enriquecimento

Combinando e lembrando que em geral hR = hD , vem

(R + D) H1 = R hD + D (hD – qCD)

Dividindo por D:

(r + 1) H1 = (r + 1) hD – qCD

- qCD = (r + 1) (H1 – hD) (12)

A localização do ponto D’ pode ser feita com as coordenadas xD e hD – qCD, ou

pelo processo gráfico que passaremos a descrever. Os pontos R (xR , hR) e V1 (y1  , H1)

podem ser localizados no diagrama (fig. 9). Da equação (12) tira-se:

Uma vez que a razão de refluxo é especificada como condição de projeto, oponto D’ fica automaticamente definido por esta relação geométrica. Será suficiente

medir o segmento V1R e marcar V1D’ = r V1R.

A construção gráfica para o cálculo do número de placas teóricas da seção de

enriquecimento pode prosseguir: o líquido L1 que sai da 1ª placa está em equilíbrio com

o vapor V1 e, assim sendo, L1 deverá estar sobre a curva do  líquido saturado, na outra

extremidade da reta de equilíbrio que passa por V1. Depois, unindo L1 e D’ determina-se

V2 sobre a curva do vapor. Uma reta como esta, que unindo L1 ao pólo determina V2,

chama-se reta de trabalho. A partir do ponto V2 a relação de equilíbrio pode ser utilizada

novamente e o líquido L2 fica determinado. Esta construção gráfica é repetida o número

de vezes necessário para dar um líquido cujo ponto representativo esteja situado à

esquerda da perpendicular levantada por xF. Daí em diante o pólo da construção gráfica

deve mudar. Antes de cuidarmos da localização do pólo para a seção de stripping

convém observar que, para Ln e Vn+1 quaisquer, vale a seguinte relação entre as vazões,obtida pela aplicação da RIBA:

Na seção de stripping a construção gráfica é semelhante. A localização do póloW’ é feita como segue (fig. 10). Traça-se uma reta unindo D’ e F. O cruzamento destareta com a vertical passando por xW é o pólo procurado. De fato, os balanços em tornoda coluna podem ser escritos:

Figura 10: Construção gráfica para a seção de stripping

F=D+W (13)F xF = D xD + W xW (14)

F hF = D hD – W hW – (QC + QR)(QR = calor fornecido ao líquido no fervedor). Esta última pode ser escrita sob outraforma:

F xF = D (hD – qCD) + W (hW – qRD) (15)

F W W

As equações (13), (14) e (15) indicam que os pontos D’ (xD, hD – qCD), F e W’

(xW, hW – qRW) estão alinhados, o que justifica a construção descrita para localizar W’,

que é o novo pólo da construção. Ligando Lf (da placa de alimentação) a W’ e

prolongando até a curva do vapor obtém-se Vf+1. A RE permite localizar Lf+1 e depois,

ligando ao pólo, resulta Vf+2. E assim vão sendo localizados sucessivamente todos os

demais pontos Vm e Lm da seção de stripping. Esta construção gráfica pode ser

justificada como foi feito para a seção de enriquecimento. Os balanços em torno do

sistema (II) são escritos e mostram que os pontos Lm-1, Vm e W’ (de coordenadas xW e

hW – qRW) estão alinhados:

Lm-1 = Vm + W

Lm-1 Xm-1 = Vm ym + W xW

Lm-1 hm-1 = Vm Hm + W (hW – qRW)

Balanço Total da Torre

Considerando a coluna inteira podemos escrever as equações de balanço:

F  D W

xF F  xD D  xWW

FhF  qWW  qD D  hD D  hWW

Manipulações algébricas entre a equação do balanço de massa global e parcial eas equações de balanço de energia e global, nos levam a

D xF − xW h   −   ( h   −   q   ) W xD − xF (hD − qD ) − hF

Algumas linhas pertinentes na construção do diagrama de Ponchon-Savarit estãoapresentadas na figura abaixo e na tabela seguinte.

Figura 11: Alguma linhas do diagrama de Ponchon-Savarit [HENLEY,1981]

Seção da Coluna Seguimentos de Reta Significado

P'B Calor removido no condensador por massa de

destilado

Enriquecimeno

Retificação

Total

CP'/EP'                         L/V GeralAP'/BP'        L/V no topo da coluna (razão de refluxo Interna)AP'/AB        L/D no topo da coluna (razão de refluxo externa)

P''G         Calor adicionado no ebulidor por massa de resíduoMP''/KP''                        L'/V' geralMP''/MK                         L'/B geralP'P''/FP''                            F/DFP''/FP'                            D/W

Tabela: Sumário do Diagrama de Ponchon-Savarit relacionado a figura acima (todas as fases sãoassumidas saturadas). [HENLEY, 1981]

Placa de alimentaçãoO critério para localizar a placa de alimentação é o do mínimo número de placas.

Isto quer dizer que durante a construção gráfica deve-se mudar de pólo quando um valoryf+1 obtido a partir de xf for maior com o novo do que com o pólo anterior. Por exemplo,se D’ estiver sendo usado, deve-se mudar para W’ na placa 4 e não mais acima, porqueo valor de y5 que se obtém com o pólo W’ é superior ao que seria obtido com o pólo D’

(fig. 12)

Figura 12: Localização da placa de alimentação

Efeito da razão de refluxoO consumo de energia para efetuar uma dada separação, com temperaturas bem

definidas da alimentação e refluxo, depende exclusivamente da razão de refluxoescolhida. À medida que r aumenta, o calor removido no condensador (número positivo– QC) também aumenta e o ponto D’ vai ficando cada vez mais distante de D. Éevidente que o enriquecimento conseguido por placa teórica também vai aumentando. Éclaro então que o número de placas diminui à medida que r aumenta. O número mínimode placas  teóricas será obtido quando o  refluxo  for  total, situação em que as  retas queunem Ln a D’ e Lm a W’ são  todas as verticais (fig. 13). Apesar de evidente, este fatotorna-se inteiramente óbvio com base na equação (12):

- qCD = (r + 1) (H1 – hD)

Figura 13: Operação com refluxo total

Quando r = R/D → , também - qCD → e a ordenada de D (hD – qCD) tende ainfinito.

Refluxo Mínimo

Para que uma separação seja possível, os coeficientes angulares das retas detrabalho devem ser maiores do que os das retas de equilíbrio. Se numa dada seção dacoluna houver coincidência de uma reta de  trabalho com uma reta de equilíbrio, entãoum número infinito de placas será necessário para efetuar a separação especificada. Paradeterminar o valor mínimo de r deve-se procurar a seção da coluna onde estacoincidência ocorre quando se está diminuindo o  refluxo. Prolongam-se diversas retasde equilíbrio da seção de enriquecimento até a vertical x = xD de modo a obter diversospontos D’ (fig. 14). O mais alto deles D’min.D é registrado. Faz-se o mesmo com a seçãode stripping e diversos pontos W’ são obtidos pelo prolongamento das RE até a verticalpassando por xW. O mais baixo dos W’ é registrado. Une-se este ponto com F eprolonga-se até a vertical por xD, de modo a resultar um outro ponto D’min.W que écomparado com o anterior. O mais alto dos dois corresponde ao refluxo mínimo. Defato, a  razão de  refluxo correspondente a esse ponto é a menor que se pode empregarpara realizar a operação especificada, porém com um número  infinitos de placas. Comrefluxo menor a operação não mais poderá ser realizada. Muitas vezes o ponto D’min. éobtido pelo cruzamento da reta de equilíbrio que passa por F, com a vertical x = xD.

Figura 14: Determinação do refluxo mínimo

A taxa de refluxo utilizada para o projeto de uma torre de destilação deve sermínima, ou a mais econômica, para que o custo seja o menor possível. Na razão derefluxo mínima a coluna requer um número infinito de estágios, e conseqüentemente umcusto infinito. Enquanto r aumenta, o número de estágios decresce rapidamente, porémo diâmetro da coluna aumenta devido a grande quantidade de líquido e vapor porquantidade de alimentação. Todos os equipamentos devem ser maiores, os custos de

instalação passam por um mínimo e aumentam para o infinito novamente. O custo total,que é a soma dos custos de operação mais os custos de instalação, deve então passar porum mínimo. O que freqüentemente, porém não sempre ocorre em uma razão de refluxopróximo a razão mínima de 1,2r a 1,5r.

Figura 15: Custo total [TREYBAL, 1981]

Exemplo 1

(Exemplo 10.1 HENLEY, 1981, modificado)100kgmol por hora de vapor saturado deuma mistura n-hexano/n-octano contendo 69% em mol de hexano é separada pordestilação em pressão atmosférica em produto contendo 90% em mol de hexano e umresíduo com 5% em mol de hexano. O condensador retorna 42,5% do condensado para acoluna como líquido saturado Utilizando o método gráfico de Ponchon-Savarit ediagrama de entalpia-concentração da figura abaixo calcular:

a) A taxa de produção de resíduo e de destilado.b) A quantidade, em kcal/h fornecido no ebulidor e removido nocondensador.c) Número de pratos teóricos.

Figura 16 a e b

i) O ponto F se localiza em x = 0,69 na linha de vapor saturado

ii) L/D = P’Vn/P’LR = 0,425 , logo P’= (0,90; 19000)

iii) D/F = FP’’/P’P’’ = 0,75

D = 75 kgmol/h

B = 25 kgmol/h

iv) -qD = P’Ln = (45000-19000) = -14.500 kcal/kgmol de produto

QD = qDD = 14.500 x 75 = -1087500 kcal/h

QB = qBB = P’’B.B = (8400-1000)25 = 185.000 kcal/h

v) Construção sobre o diagrama fornecido.

Exemplo 2

Uma solução aquosa de amônia de 12,2 ata e 80ºC, contendo 20% de amônia em peso

deve ser fracionada de modo a produzir um destilado com 95% de NH3 e um produto de

fundo com 2% de NH3. Será utilizada uma coluna de placas equipada com  fervedor e

condensador total. Decidiu-se empregar uma razão de refluxo igual a 1,77 vezes a razãomínima. Calcular:

a) o número de placas teóricas de coluna;b) as cargas térmicas do fervedor e do condensador, para uma alimentação de 1t/h.

Dados: diagrama entalpia-concentração da fig. 17.

Figura 17 – Diagrama de Ponchon-Savarit do exemplo 2

Soluçãoa) no diagrama são marcados os pontos F, W e D = R. Levantam-se as

perpendiculares por xW = 0,02 e xD = 0,95, depois prolongam-se as RE paradeterminar rmin. O ponto D’m corresponde ao refluxo mínimo. Portanto:

Entãorreal = 1,77 (0,554) = 0,981

e

V1D’ = 0,981 (355 – 30) = 318,8 kcal/kghD’ = 535 + 318,8 = 853,9 kcal/kg

A construção gráfica indica cinco estágios teóricos, ou seja, 4 placas teóricas, sendo

a alimentação feita na 2ª placa a contar do condensador.

b) Cargas térmicas

Do gráfico tira-se

-qCD = (r + 1) (H1 – hD) = 1,985 (355 – 30) = 645,1 kcal/kg

qRW = hW + 145,0 = 180,0 + 145,0 = 325,0 kcal/kg

Balanços materiais:

200 = 0,95 D + 0,02 (1000 – D)

D = 193,5 kg/h

W = 806,5 kg/h

As cargas térmicas podem ser calculadas:

- QC = 193,5 (645,1) = 124827 kcal/h

QR = 806,5 (325,0) = 262113 kcal/h

Referências Bibliográficas

GEANKOPOLIS, C.J. Procesos De Transporte Y Operaciones Unitárias. CECSA,México, 3ªed. 1998.

GOMIDE, Reynaldo. Operações unitárias. São Paulo: R. Gomide, Vol 4, 1980-1997.

HENLEY, E. J.; SEADER, J. D. Equilibrium-Stage Separation Operations inChemical Engineering. John Wiley & Sons, 1981.

TREYBAL, Robert. Mass Transfer Operations. McGraw-Hill, 3ªed., 1981.