Informe 4 EP

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LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA Práctica Nº4 TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA TBJ OBJETIVOS: Disenãr el circuito de control para un transistor bipolar de juntura de potencia. Conocer las características de conmutación del transistor bipolar de juntura. INFORME Formas de Onda

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Electrónica de Potencia EPN

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LABORATORIO  DE  ELECTRÓNICA  DE  POTENCIA    

Práctica  Nº4    

TRANSISTOR  BIPOLAR  DE  JUNTURA  TBJ    OBJETIVOS:    

• Disenãr  el  circuito  de  control  para  un  transistor  bipolar  de  juntura  de  potencia.  • Conocer  las  características  de  conmutación  del  transistor  bipolar  de  juntura.  

 INFORME    Formas  de  Onda    

   

   

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Calcular  la  potencia  de  disipación  del  transistor  de  potencia  para  los  dos  circuitos  diseñados  con  los  datos  tomados  en  el  laboratorio.    Para  una  carga  resistiva  (foco):    

Periodo   1.820  ms  Tiempo  en  Alto   880  us  Tiempo  en  Bajo   960  us  Tiempo  de  Encendido   4.9  us  Tiempo  de  Apagado   6.6  us  

 

   

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Para  una  carga  resistiva  (foco)  inductiva:    

Periodo   1.390  ms  Tiempo  en  Alto   700  us  Tiempo  en  Bajo   690  us  Tiempo  de  Encendido   7  us  Tiempo  de  Apagado   13.6  us  

           

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CONCLUSIONES  • La  carga  inductiva  no  afecta  el  estado  estable  de  las  formas  de  onda,  solo  a  los  

transitorios  ya  que  la  carga  inductiva  se  comporta  como  cortocircuito  cuando  no  hay  variación  de  corriente  en  el  tiempo.    

• Las  diferencias  de  disipación  en  estado  estable  se  dan  por   la  variación  de   los  tiempos   de   apagado   y   encendido   que   afectan   de   una   manera   mínima   a   los  tiempos  estables  de  corte  y  saturación  respectivamente.  

• El   diseño   del   circuito   de   los   transistores   en   esta   practica,   se   debe   tener   en  cuenta   el   diseño   a   partir   del   transistor   de   potencia   donde   tenemos   los  requerimientos   específicos;   el   resto   del   circuito   se   debe   adaptarlo   a   las  necesidades   de   la   carga   y   los   limites  máximos   de   disipación   de   potencia.   Se  debe  maniobrar  el  circuito  variando  las  resistencias.  

Bibliografía.  

• Boylestad  R.,  Nashelsky  L.  ,  Electronic  Devices  and  Circuit  Theory,  10/e  (New  Edition).  Pearson  Education,  2012    

• M.  Rashid,  Power  Electronics:  Circuits,  Devices,  and  Applications.  Pearson/Prentice  Hall,  2004.