1NOME: FA B R I C I O G U I VA R E S S A G G I O R O

PROFESSOR: L U C A S

AUTORES DA PUBICAÇÃO ORIGINAL: Z H I B O Z H A N G ; J A C K I E Y. Y I N G ; M I L D R E D S . D R E S S E L H A U S .

Bismuth quantum-wire arrays fabricated by a vacuum meltingand pressure injection process

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Formação de Nanofio de Bi.

FIG. 1. Diagrama esquemático do processo de fabricação do nanofiomatriz composta: (a) um modelo tão preparado da parte anódica porosa de alumina,(b) a injecção de pressão de metal fundido nos canais de vácuo domolde poroso, e (c) o metal cheia de película compósita, que pode serusado em aplicações práticas.

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FIG. 2. Imagem TEM da secção transversal da alumina anódicamolde com um diâmetro de canal médio de 56 nm após a moagem ion

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FIG. 3. (a) micrografia em SEM

dos nanofios de Bi expostas após a

matriz de alumina ter sido parcialmente

dissolvida a partir do lado inferior da película. (b, c)

imagens de TEM dos nanofios

independentes de BI. São mostrados

Nanofios Bi preparados a partir

de modelos com diâmetros médios de canal De (a, b ) 23 nm

e (c) 56 nm.

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FIG. 5. A temperatura ambiente espectros de absorção óptica do Binanowire / alumina anódica películas compósitas, com diâmetros médios de fio de (a) 56 nm, (b) 23 nm, e (c) 13 nm, e o correspondente ao modelos de alumina não preenchidasanódicas (d), (e) e (f).

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Obrigado