Prof. Dr. Aparecido Nicolett

PUC-SP

Aula 01

Construção e Características

do JFET

8ª Edição: pág. 174 a 179

11ª Edição: pág. 317 a 323

Slide 1 Construção e Características do JFET

• Dispositivo de três terminais.

• Aplicado em circuitos muito semelhantes aos que utilizam o TBJ.

IE

• TBJ: controlado por corrente (IC = f(IB))

• FET: controlado por tensão (ID = f(VGS))

Slide 2 TBJ x FET

Características TBJ FET

Impedância de entrada < >

Sensibilidade à

temperatura> <

Controle de corrente

de saída.> <

Ganho de tensão > <

Estabilidade < >

Tamanho > <

Slide 3 Construção do JFET

• Existem dois tipos de JFETs: canal N e canal P. O do tipo canal N é mais utilizado.

Slide 4 Analogia de funcionamento

Slide 5 JFET (canal N) com polarização

• O fluxo de carga entre fonte e dreno é

relativamente irrestrito e limitado

somente pela resistência do canal N.

• A região de depleção é mais larga

próximo do dreno, pois a polarização

reversa dreno/porta é maior que a

polarização reversa porta/fonte.

VD > VS

VGS = 0 V

VDS > 0 V

ID = IS ≠≠≠≠ 0 A

Slide 6

• Admitindo uma resistência uniforme

do canal N, a variação dos potenciais

reversos podem ser observados na

figura.

• Próximo à fonte, a queda de tensão é

menor (menor resistência) e próximo

do dreno, a queda de tensão é maior

(maior resistência).

• Como a junção PN está sempre

polarizada reversamente, a corrente

de porta IG é sempre zero (IG = 0 A)

Slide 7 IDS x VDS (VGS = 0 V)

Região de

Triodo

Região de Corte

Região de Saturação

Slide 8 Pinçamento – “Pinch-off”

• Apesar do estrangulamento, ID ≠ 0 A.

Os portadores passam através da região

de depleção. Nesta condição, IDS passa

a ser constante (IDS = cte na saturação).

VDS ↑ → Rch ↑→ IDS = cte,

característica de uma fonte de corrente.

Obs.: IDSS é a corrente máxima de ID, definida na condição de VGS = 0V e VDS > Vp.

Slide 9

VD > VS

VGS < 0 V

VDS > 0 V

ID = IS ≠≠≠≠ 0 A

• A polarização negativa de VGS,

aumenta as camadas de depleção,

diminuindo a “área” de passagem

da corrente.

• O valor de VGS que resulta em

ID = 0 A é definido como Vp

(VGS = Vp).

Slide 10 Curvas Características do JFET canal N

IDSS = 8 mA

Vp = - 4 V

Slide 11 Resistor controlado por tensão

[5.1]2

P

GS

od

)V

V(1

rr

−=

• Na região ôhmica, o JFET pode ser utilizado

como um resistor controlado por tensão.

ro = resistência com VGS = 0 V

rd = resistência específica para um certo VGS

Slide 12 JFETS canal P

Slide 13 Características do JFET canal P

Slide 14 Símbolos para o JFET

Canal N Canal P

Slide 15 Resumo