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FATEC FACULDADE DE TECNOLOGIA DE SÃO PAULO TÉCNICAS DE EXTRAÇÃO DE PARÂMETROS DE PROCESSO (TEPP) Prof. Victor Sonnenberg 1 o Experiência: Capacitor MOS Nome Número OBS. PREENHER O RELATÓRIO EM LETRA LEGÍVEL OU DE FORMA. Se necessário, use folha extra ou o verso. Objetivo: Obtenção da curva Capacitância x Tensão (CV) em alta freqüência e a extração de parâmetros físicos e elétricos. Introdução: O capacitor MOS é constituído pela estrutura Metal-Óxido-Semicondutor como representado na figura 1. Figura 1- Capacitor MOS e sua simbologia A estrutura MOS é muito utilizada em circuitos digitais porém com a finalidade de ser porta de transistor MOS e não isoladamente, no entanto, o capacitor MOS isolado é muito utilizado como estrutura de caracterização de processo. Com o capacitor MOS pode-se extrair, eletricamente, parâmetros tais como: espessura do óxido, concentração de dopantes (não o perfil), tensão de banda plana (flat-band), tensão de limiar entre outros. A capacitância total é resultante da capacitância do óxido (C ox ) em série com a do silício depletado (C D ). O C ox é uma constante que depende da espessura do óxido e do material, normalmente óxido de silício (SiO 2 ), sendo dada por C ox C D V G Óxido de silício Silício V G Metal

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TÉCNICAS DE EXTRAÇÃO DE PARÂMETROS DE PROCESSO (TEPP) Prof. Victor Sonnenberg

1o Experiência: Capacitor MOS

Nome Número OBS. PREENHER O RELATÓRIO EM LETRA LEGÍVEL OU DE FORMA. Se necessário, use folha extra ou o verso. Objetivo: Obtenção da curva Capacitância x Tensão (CV) em alta freqüência e a extração de parâmetros físicos e elétricos. Introdução: O capacitor MOS é constituído pela estrutura Metal-Óxido-Semicondutor como representado na figura 1.

Figura 1- Capacitor MOS e sua simbologia

A estrutura MOS é muito utilizada em circuitos digitais porém com a finalidade de ser porta de transistor MOS e não isoladamente, no entanto, o capacitor MOS isolado é muito utilizado como estrutura de caracterização de processo. Com o capacitor MOS pode-se extrair, eletricamente, parâmetros tais como: espessura do óxido, concentração de dopantes (não o perfil), tensão de banda plana (flat-band), tensão de limiar entre outros. A capacitância total é resultante da capacitância do óxido (Cox) em série com a do silício depletado (CD). O Cox é uma constante que depende da espessura do óxido e do material, normalmente óxido de silício (SiO2), sendo dada por

Cox

CD

VG

Óxido de silício

Silício

VG

Metal

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oxxoxε

=oxC

sendo εox é a permissividade do óxido (3,9x8,85x 10-14 F/cm para o SiO2) e xox é a espessura do óxido. O CD, no entanto, depende se o silício está invertido, depletado ou acumulado.

dsiε

=oxC sendo εSi é a permissividade do silício (11,7x8,85x 10-14 F/cm ) e d é a profundidade da região de depleção. Na acumulação, d=0, na inversão, d=dMAX, e na depleção, 0<d< dMAX. A figura 2 ilustra as curvas CV em alta e baixa freqüência para um capacitor MOS tipo P.

FB T

Baixa frequência

Alta frequência

CMax

CMin

CFB

V V VG

0

C

C =dQ

dVG

Figura 2- Curva CV de alta e baixa freqüência (Tipo P) Consultar o livro do Martino, capitulo 2.

Procedimento experimental: - Medir a curva CV de alta freqüência e extrair os parâmetros (preencher a tabela 1) nas

seguintes condições: Amostra 1 1) Da inversão para a acumulação com luz; 2) Da inversão para a acumulação sem luz; 3) Da acumulação para a inversão com luz; 4) Da acumulação para a inversão sem luz;

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- Medir a curva CV de alta freqüência e extrair os parâmetros na melhor condição analisada

anteriormente. Amostra 2 5) Da _____________ para a _____________ ____ luz; Dados: Porta de Alumínio e área 300x300µm. Anexar as curvas CV, medidas 1 e 2 juntas, 3 e 4 juntas e a 5 separada. Destacar nas

curvas os efeitos, luz, depleção profunda, Nit e Injeção lateral de elétrons.

Tabela 1- Resultados (coloque a unidade ao lado do parâmetro). Cmax ( ) Cmin ( ) xox ( ) dmax ( ) Na ( ) ΦMS ( ) VFB ( ) QSS/q ( ) Vt ( ) 1 2 3 4 5

Escreva as equações usadas acima, calculando os valores para a medida 2. Se necessário,

use folha extra ou o verso.

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- Medir a curva CV de baixa freqüência na amostra 1. Anexar as curvas CV, medida ___ (

a melhor condição) e a CV baixa freqüência juntas. Cuidado com o sinal da tensão aplicada. Questionário : 1) Desenhe o capacitor tipo N e as suas curvas características. Explique as regiões de

inversão, acumulação e depleção destacando-as nas curvas. ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

2) Descreva, sucintamente, o procedimento de medida da curva CV em alta freqüência (CVAF). Cite o equipamento, conexão das pontas de prova no capacitor (desenhe), valor da tensão inicial (positivo ou negativo), etc.

________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

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3) Idem questão 2 para CVBF. ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

4) O que é depleção profunda? O que devemos fazer para eliminá-la.

________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

5) Explique o efeito de injeção lateral de elétrons e o procedimento para evitá-lo.

________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

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6) Porque devemos fazer a medida no escuro e o objetivo da caixa preta?

________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

7) Porque devemos incidir luz sobre o capacitor antes do início da medida?

________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

8) Explique o efeito do Nit (estiramento) e o procedimento para evitá-lo (processo)?

________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

Conclusões:

________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

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2o Experiência: Determinação da Resistência de Folha e Largura de Linha

Nome Número OBS. PREENHER O RELATÓRIO EM LETRA LEGÍVEL OU DE FORMA. Se necessário, use folha extra ou o verso.

Objetivo: Obtenção da resistência de folha e largura de linha. Introdução: Através da estrutura cruz-ponte da figura 1 (desenhe a estrutura) mede-se a resistência de

folha (Van der Pauw 1,2,4 e 5) e do resistor tipo ponte (2,3,5 e 6) mede-se a resistência.

Figura 1 – Estrutura cruz-ponte A resistência de folha (RF) é medida por

45

I12

V53,4

45I12

V

ln21

FR == π

Rotacionando-se a amostra em 90o e aplicando-se Ixx e medindo-se o Vyy obtém-se o RF2. A resistência de folha total é dada por

F2

2)R1(RR FF

F

+=

onde F é o fator de Van der Pauw para ajuste da desuniformidade.

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Medindo-se o valor do resistor tipo ponte por

56I

23V

R =

e considerando-se a equação de Ohm, calcula-se a largura efetiva da linha conhecendo-se o

comprimento L.

W

LR

A

LR F== ρ , portanto,

R

LRW F=

Procedimento experimental: - Medir as resistências de folha, rotacionando-se a amostra em 90o, e calcular a resistência

de folha total. Verificar o efeito da luz. Determinar RF para I=____mA. Anexar as curvas RF x I juntas.

RF1= _____________ unidade: ______ RF2= _____________ unidade: ______ RF = ______________ unidade: ______ - Medir o resistor tipo ponte e determinar a largura de linha W. Determinar R para

I=____mA. Anexar a curva R x I. Lmasc=200µm e Wmasc=15µm R= ______________ unidade: ______ W= ______________ unidade: ______ Conclusões:

________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

Cálculo de W:

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3o Experiência: Determinação da Resistência de Contato

Nome Número OBS. PREENHER O RELATÓRIO EM LETRA LEGÍVEL OU DE FORMA. Se necessário, use folha extra ou o verso.

Objetivo: Obtenção da resistência de contato. Introdução: Através da estrutura Kelvin da figura 1 (desenhe a estrutura) mede-se a resistência de

contato. Desenhe a estrutura utilizada também.

Figura 1 – a) Estrutura Kelvin e b) estrutura utilizada A resistência de contato (Rc) é calculada através da equação

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I14

VRc =

Procedimento experimental: - Medir a resistência de contato. Verificar o efeito da luz. Determinar Rc para I=____mA.

Anexar a curva Rc x I. Rc= _____________ unidade: ______ Conclusões: (Use o verso)

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4o Experiência: Diodo

Nome Número OBS. PREENHER O RELATÓRIO EM LETRA LEGÍVEL OU DE FORMA. Se necessário, use folha extra ou o verso. Objetivo: Caracterizar a junção PN através do diodo. Introdução: O diodo é constituído por uma junção PN conforme a figura 1. O diodo é um componente que, normalmente, não é utilizado isoladamente em circuitos digitais. No entanto, no processo MOS existem vários diodos inerentes devido as cavidades de fonte e dreno.

Figura 1 –Diodo integrado e simbologia.

O diodo ideal conduz corrente elétrica quando polarizado diretamente (com queda de tensão nula entre seus terminais) e não conduz quando polarizado reversamente. No entanto, o diodo real quando polarizado diretamente só conduz a partir de uma determinada tensão e quando polarizado reversamente possui uma pequena corrente elétrica e um limite máximo de polarização conhecido como tensão reversa máxima. A equação de corrente elétrica é dada pela equação 1.

−=

1nKTqV

e0

ID

I (1)

onde n é o fator de idealidade e KT/q é a tensão térmica (Para T=300K é igual a 25,8 mV).

N

P

A

K

K A

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A figura 2 (desenhe as curvas) ilustra as curvas do diodo real na escala linear e monolog, indicando os fatores de idealidade.

Figura 2 – Curvas linear e monolog do diodo real. Parâmetros importantes:

- Tensão de condução (VDO) é a tensão direta a partir da qual o diodo conduz corrente. Através da curva linear, este parâmetro pode ser extraído da interseção da reta tangente na

região linear da curva. - Resistência de corpo (RD) é a resistência entre os terminais do diodo após entrar em

condução. Através da curva linear, este parâmetro é obtido do coeficiente de inclinação da sua reta

tangente na região linear da curva. - Fator de idealidade (n) é o fator que verifica o quanto o diodo é bom ou não. Quanto mais

próximo de 1 melhor será o diodo. Para valores de tensão maiores do que 0,1V pode-se desprezar o menos 1 da equação do

diodo, portanto, o fator de idealidade será proporcional ao coeficiente de inclinação da reta tangente da curva monolog.

- Corrente reversa (I0) é a corrente no diodo quando polarizado reversamente. Este parâmetro é medido para uma determinada polarização, em geral VDD.

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Procedimento experimental: - Medir a curva IxV do diodo na polarização direta com e sem e luz, a corrente reversa para

Vr=VDD=2 e 5V e extrair os parâmetros conforme tabela 1:

Tabela 1- Resultados (coloque a unidade ao lado do parâmetro). Medida VDO ( ) RD ( ) n ( ) I0 (Vr=2V) ( ) I0 (Vr=5V) ( ) Sem luz Com luz XXXXXXX XXXXXXX Anexar as curvas IxV na escala linear (com e sem luz juntas) e monolog (com e sem luz

juntas). Escreva as equações usadas acima, calculando os valores nas condições com e sem luz. Conclusões:

________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

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5o Experiência: Transistor NMOS

Nome Número OBS. PREENHER O RELATÓRIO EM LETRA LEGÍVEL OU DE FORMA. Se necessário, use folha extra ou o verso.

Objetivo: Medir as curvas características do transistor NMOS e obter os principais parâmetros.

Introdução:

O transistor NMOS é constituído por duas regiões tipo N (dreno e fonte) e uma porta constituída pelo capacitor MOS, como representado na figura 1 (desenhe o transistor NMOS).

Figura 1 – Transistor NMOS

As curvas características do transistor NMOS estão representadas na figura 2 (desenhe as curvas e destaque as regiões de corte, tríodo e saturação).

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a) b) c) Figura 2 – Curvas a) IDS x VGS, b) LOG IDS x VGS e c) IDS x VDS.

Funcionamento do transistor: Verificar o livro do Martino.

Parâmetros importantes: - Tensão de limiar (VT) é a tensão aplicada na porta do transistor a partir da qual o canal está invertido e, dependendo se VDS está polarizado adequadamente, o transistor passará a conduzir. Através da curva IDS x VGS (VDS= 0,1V), este parâmetro é extraído da interseção da reta tangente a curva na região de maior transcondutância com o eixo das coordenadas ou fixando-se um nível de corrente (por exemplo: 10-7 W/L). - Transcondutância (gm) é extraído diretamente do coeficiente da reta tangente na curva IDS x VGS (VDS=0,1V).

VVGS

DS

DSV

Igm

1,0=∆∆

=

- Fator de ganho (β) é o fator de amplificação da corrente que depende da mobilidade do portador (µn), da espessura do óxido (xox) e das dimensões comprimento (L) e largura (W). Este parâmetro é extraído da transcondutância e da constante VDS conforme equação:

DSV / gm=β

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- Mobilidade (µno) é a mobilidade de elétrons, independente de campo, no canal do transistor NMOS. Após a extração do fator de ganho, este parâmetro é calculado pela equação:

W

L

Cox

maxβµ =no

- Degradação da mobilidade (θ) é o coeficiente de degradação que a mobilidade sofre pelo

campo elétrico vertical.

Vt)-(V1 GSθµµ

+= no

neff

- Corrente de fuga com o transistor cortado (IDSoff) é a corrente de dreno e fonte quando o transistor está cortado. Esta corrente será extraída no ponto de corte, normalmente, VGS= 0V. - Inclinação de sublimiar (S) é a taxa de variação da tensão por uma década de corrente na região de sublimiar (VGS<VT)

)Log(I)Log(I

VVS

D1D2

GS1GS2

−−=

- Corrente de saturação (IDsat) é a corrente máxima no transistor na saturação com

VGS=VDS=VDD. - Constante de efeito de corpo (γ) é um parâmetro que verifica o efeito do substrato na

tensão de limiar e se a concentração é ou não uniforme.

É extraída do coeficiente da reta tangente a curva VT x 2ΦF BSV+ .

- Comprimento efetivo de canal (Leff) é o valor real do comprimento de canal (Lmasc – ∆L). É extraído da curva gmmax x L através da cascata de transistores. Procedimento experimental: - Medir a curva IDS x VGS (VDS= 0,1V e para VBS=0) com e sem luz. Anexar as curvas IDS x VGS (VDS= 0,1V e para VBS=0) na escala linear (com e sem luz

juntas) e monolog (com e sem luz juntas). - Medir e anexar a curva IDS x VGS (VDS= 0,1V e para diferentes VBS) e a curva IDS x VDS

(para diferentes VGS).

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Dados do transistor: xox= ___________ L=______________ W=_____________ - Medir e anexar (juntas) a curva IDS x VGS (VDS= 0,1V e para VBS=0) da cascata de

transistores. Anexar a curva gm x VGS (VDS= 0,1V e para VBS=0) juntas também. Dados do transistor: W=__________ L=_____,_____,_____,______ e _____ Extrair e determinar os parâmetros da tabela 1.

Tabela 1- Resultados (coloque a unidade ao lado do parâmetro). Medida VT

( ) IDSoff ( )

S ( )

gmmax ( )

β ( )

µno ( )

θ ( )

γ ( )

Na ( )

∆L ( )

Sem luz Com luz XXX XXX XXX XXX XXX

Escreva as equações usadas acima, calculando os valores nas condições sem e com luz. (Use

o verso)

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Anexar as curvas VT x 2ΦF BSV+ , VT x L e gmmax x L.

Conclusões:

________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

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Prof. Victor Sonnenberg

6o Experiência: Transistor PMOS

Nome Número OBS. PREENHER O RELATÓRIO EM LETRA LEGÍVEL OU DE FORMA. Se necessário, use folha extra ou o verso.

Objetivo: Medir as curvas características do transistor PMOS e obter os principais parâmetros.

Introdução:

O transistor PMOS é constituído por duas regiões tipo P (dreno e fonte) e uma porta constituída pelo capacitor MOS, como representado na figura 1 (desenhe o transistor PMOS).

Figura 1 – Transistor PMOS

As curvas características do transistor PMOS estão representadas na figura 2 (desenhe as curvas e destaque as regiões de corte, tríodo e saturação).

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a) b) c) Figura 2 – Curvas a) IDS x VGS, b) LOG IDS x VGS e c) IDS x VDS.

Funcionamento do transistor: Verificar o livro do Martino.

Parâmetros importantes: - Tensão de limiar (VT) é a tensão aplicada na porta do transistor a partir da qual o canal está invertido e, dependendo se VDS está polarizado adequadamente, o transistor passará a conduzir. Através da curva IDS x VGS (VDS= -0,1V), este parâmetro é extraído da interseção da reta tangente a curva na região de maior transcondutância com o eixo das coordenadas ou fixando-se um nível de corrente (por exemplo: -10-7 W/L). - Transcondutância (gm) é extraído diretamente do coeficiente da reta tangente na curva IDS x VGS (VDS=-0,1V).

VVGS

DS

DSV

Igm

1,0−=∆∆=

- Fator de ganho (β) é o fator de amplificação da corrente que depende da mobilidade do portador (µp), da espessura do óxido (xox) e das dimensões comprimento (L) e largura (W). Este parâmetro é extraído da transcondutância e da constante VDS conforme equação:

DSV / gm=β

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- Mobilidade (µpo) é a mobilidade das lacunas, independente de campo, no canal do transistor PMOS. Após a extração do fator de ganho, este parâmetro é calculado pela equação:

W

L

Cox

maxβµ =po

- Degradação da mobilidade (θ) é o coeficiente de degradação que a mobilidade sofre pelo

campo elétrico vertical.

Vt)-(V1 GSθµ

µ+

= popeff

- Corrente de fuga com o transistor cortado (IDSoff) é a corrente de dreno e fonte quando o transistor está cortado. Esta corrente será extraída no ponto de corte, normalmente, VGS= 0V. - Inclinação de sublimiar (S) é a taxa de variação da tensão por uma década de corrente na região de sublimiar (VGS>VT)

)Log(I)Log(I

VVS

D1D2

GS1GS2

−−=

- Corrente de saturação (IDsat) é a corrente máxima no transistor na saturação com

VGS=VDS=-VDD. - Constante de efeito de corpo (γ) é um parâmetro que verifica o efeito do substrato na

tensão de limiar e se a concentração é ou não uniforme.

É extraído do coeficiente da reta tangente a curva VT x BSV2 +ΦF .

Procedimento experimental: - Medir a curva IDS x VGS (VDS= -0,1V e para VBS=0) com e sem luz. Anexar as curvas IDS x VGS (VDS= -0,1V e para VBS=0) na escala linear (com e sem luz

juntas) e monolog (com e sem luz juntas). - Medir e anexar a curva IDS x VGS (VDS= -0,1V e para diferentes VBS) e a curva IDS x VDS

(para diferentes VGS). Dados do transistor: xox= ___________ L=______________ W=_____________

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Extrair e determinar os parâmetros da tabela 1.

Tabela 1- Resultados (coloque a unidade ao lado do parâmetro). Medida VT

( ) IDSoff

( ) S

( ) gmmax ( )

β ( )

µpo ( )

θ ( )

γ ( )

Nd ( )

Sem luz Com luz XXX XXX XXX XXX

Escreva as equações usadas acima, calculando os valores nas condições sem e com luz.

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Anexar a curva VT x BSV2 +ΦF .

Conclusões:

________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

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Prof. Victor Sonnenberg

7o Experiência: Inversor CMOS

Nome Número OBS. PREENHER O RELATÓRIO EM LETRA LEGÍVEL OU DE FORMA. Se necessário, use folha extra ou o verso.

Objetivo: Medir a curva de transferência do inversor CMOS e obter os principais parâmetros.

Introdução: O inversor CMOS é constituído por um transistor NMOS e um transistor PMOS conforme

figura 1.

VDD

VE VS

PMOS

NMOS

S

S

G D

Figura 1 – Inversor CMOS.

A curva de transferência do inversor está representada na figura 2, onde também é

demonstrado alguns parâmetros importantes como a margem de ruído alto (MRH) e a margem de ruído baixo (MRL).

A tensão de inversão VINV é dada pela equação 1.

P

N1

P

NTnVTpVDDV

INVV

ββ

ββ

+

++=

(1)

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VS

VE

V = VDD

VDD

VINV

VV

MR

V = 0

IHIL

OH

OL

MRL

H

dVS

dVE

= -1

Figura 2 – Curva de transferência do inversor CMOS

Procedimento experimental: - Medir e anexar (juntas) as curvas de transferência do inversor CMOS para VDD=2 e 3V e

obter a tensão de inversão experimental. - Medir e anexar as curvas IDS x VGS (VDS= CTE e VBS=0) dos transistores e obter a tensão

de limiar e o fator de ganho. Dados dos transistores: NMOS: L=______________ VT= ____________ unidade:__________ W=_____________ gmmax= __________ unidade:__________ PMOS: L=______________ VT= ____________ unidade:__________ W=_____________ gmmax= __________ unidade:__________ Calcular a tensão de inversão pela equação 1 ( use o verso) com os parâmetros VT e gmmax

extraídos e comparar com o valor experimental. VDD (V) VINV experimental VINV calculado

2 3

Conclusões:

________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________